[發明專利]一種RC濾波器制造工藝

無效

• 申請號: 201310136846.3
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104112709A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 孫芳魁;袁曉飛;吳迪;姜巍;徐榕濱;許巍;王宏婧
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工大華生電子有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種RC濾波器制造工藝，其特征在于，包括：

提供P型硅片；

在所述P型硅片上進行硼（B）擴散，制造P+區；

在所述P型硅片上依次進行干法氧化工藝、濕法氧化工藝、干法氧化工藝生長出厚度均勻的氧化層；

在所述P型硅片上依次進行多晶硅淀積、三氯氧磷摻雜工藝，并通過光刻、腐蝕工藝制造出電阻以及電容的上電極；

在所述P型硅片上依次進行濺射工藝、光刻、腐蝕工藝形成RC濾波器的金屬層。

2.根據要求1所述的低溫度系數濾波器制造工藝，其特征在于，生長氧化層前，對所述P型硅片進行超聲處理、3#液清洗、漂酸、沖水以及甩干工藝。

3.根據要求1所述的低溫度系數濾波器制造工藝，其特征在于，所述氧化層的厚度均勻，片內偏差控制在1%以內。

4.根據要求1所述的低溫度系數濾波器制造工藝，其特征在于，多晶硅的摻雜使用三氯氧磷摻雜工藝，多晶硅的方塊電阻控制在170Ω/□-190Ω/□。