[發明專利]在半導體結構中消除凸點效應的方法有效
| 申請號： | 201310136250.3 | 申請日： | 2013-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN104112699B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 消除 效應 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在半導體結構中消除凸點效應的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
1)提供一經過化學機械研磨平坦化處理過的基片，該基片具有鑲嵌導電金屬互連結構的第一介電層；
2)分別利用雙氧水和中性He等離子體工藝清洗所述基片表面，以去除平坦化處理工藝后的殘留顆粒，其中，所述雙氧水濃度為0.1％～30wt％，所述He等離子體的流量為300～4000sccm，等離體反應腔的功率為100～1000w，腔內壓強為1～7torr；
3)在所述清洗過的基片表面依次形成金屬粘附層、第二介電層、第三介電層以及硬掩膜層。
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述第一介電層和硬掩膜層的材質為四乙氧基硅烷基體氧化物；所述金屬粘附層的材質為含碳的氮化硅；所述第二介電層的材質為超低k介電材料；所述第三介電層的材質為致密低k介電材料。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述步驟3)之后還包括對所述超低k介電層進行UV固化處理，以形成多孔的超低k介電層。
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述導電金屬的材質為金屬鎢或銅。
5.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于：所述導電金屬互連結構為通孔或溝槽。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
