[發明專利]調制器集成型激光器元件有效
| 申請號: | 201310128713.1 | 申請日: | 2013-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN103378544B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 大和屋武;高木和久 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/026 | 分類號: | H01S5/026;H01S5/042;H01S5/343;H01S5/227 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調制器 集成 激光器 元件 | ||
技術領域
本發明涉及例如在光通信系統中使用的調制器集成型激光器元件。
背景技術
在專利文獻1中公開了用于對激光光束施加強度調制的調制器。為了改善消光比,使用驅動器的正相電信號和反相電信號來驅動該調制器。將使用了正相電信號和反相電信號兩者的驅動方式稱為差動驅動。在專利文獻2中也公開了進行差動驅動的調制器。
在專利文獻3、4中,公開了調制器和激光器元件被集成于同一基板上的調制器集成型激光器元件。關于專利文獻3所公開的調制器集成型激光器元件,激光器元件與調制器的電極是共同的。關于專利文獻4所公開的調制器集成型激光器元件,激光器元件與調制器的電極是獨立的。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2002-277840號公報;
專利文獻2:日本特開2003-17797號公報;
專利文獻3:日本特開平04-061186號公報;
專利文獻4:日本特開2007-158063號公報。
發明要解決的課題
在激光器元件和調制器被集成于同一基板的調制器集成型激光器元件中,存在對調制器施加的電壓影響激光器元件的工作的情況。當對激光器元件施加調制器的信號電壓時,激光器元件的光輸出強度被非有意地調制。由此存在調制器集成型激光器元件的光輸出的消光比惡化的問題。
此外,當對激光器元件施加調制器的信號電壓時,還有在調制器集成型激光器元件的光輸出中產生波長啁啾(chirping)的問題。因此,有在光纖內對調制器集成型激光器元件的光輸出進行長距離傳輸時調制波形劣化、通信品質劣化的問題。
特別是在對調制器進行差動驅動的情況下,這些問題顯著。因此,通常僅使用正相電信號或反相電信號的一方來對調制器集成型激光器元件的調制器進行單相驅動。
發明內容
本發明是為了解決上述那樣的課題而完成的,其目的在于提供一種能夠不產生問題地對調制器進行差動驅動的調制器集成型激光器元件。
用于解決課題的方案
本申請發明提供一種調制器集成型激光器元件,在同一基板上形成有激光器部、分離部和調制部,其特征在于,該激光器部具有:第一下包覆(clad)層,形成在該基板上;有源層,形成在該第一下包覆層上;第一陽極電極,形成在該有源層的上方;以及第一陰極電極,一部分與該第一下包覆層相接,該分離部具有:第二下包覆層,與該激光器部相接,形成在該基板上;以及第一吸收層,以與該有源層連結的方式形成在該第二下包覆層上,該調制部具有:第三下包覆層,與該分離部相接,形成在該基板上;第二吸收層,以與該第一吸收層連結的方式形成在該第三下包覆層上;第二陽極電極,形成在該第二吸收層的上方;以及第二陰極電極,一部分與該第三下包覆層相接,該基板以半絕緣體形成,該第一下包覆層、該第二下包覆層和該第三下包覆層被一體地形成,該調制器集成型激光器元件的短尺寸方向的該第二下包覆層的寬度比該第一下包覆層的寬度及該第三下包覆層的寬度窄。
發明效果
根據本發明的調制器集成型激光器元件,因為提高了激光器部與調制部的隔離電阻,所以能夠不產生問題地對調制器進行差動驅動。
附圖說明
圖1是本發明實施方式1的調制器集成型激光器元件的平面圖。
圖2是圖1的A-A’剖面圖。
圖3是圖1的B-B’剖面圖。
圖4是圖1的C-C’剖面圖。
圖5是表示裝載有調制器集成型激光器元件的光模塊的平面圖。
圖6是本發明實施方式2的調制器集成型激光器元件的平面圖。
圖7是圖6的C-C’剖面圖。
圖8是本發明實施方式3的調制器集成型激光器元件的平面圖。
圖9是圖8的A-A’剖面圖。
圖10是圖8的C-C’剖面圖。
圖11是本發明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。
圖12是表示本發明實施方式4的調制器集成型激光器元件的分離部的變形例的剖面圖。
圖13是本發明實施方式5的調制器集成型激光器元件的平面圖。
圖14是圖13的B-B’剖面圖。
圖15是本發明實施方式6的調制器集成型激光器元件的分離部的剖面圖。
圖16是表示本發明實施方式6的變形例的分離部的剖面圖。
圖17是表示本發明實施方式6的另一個變形例的分離部的剖面圖。
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