[發明專利]調制器集成型激光器元件

有效

• 申請號: 201310128713.1
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN103378544B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 大和屋武;高木和久
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/042;H01S5/343;H01S5/227
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種調制器集成型激光器元件，在同一基板上形成有激光器部、分離部和調制部，其特征在于，

所述激光器部具有：第一下包覆層，形成在所述基板上；有源層，形成在所述第一下包覆層上；第一陽極電極，形成在所述有源層的上方；以及第一陰極電極，一部分與所述第一下包覆層相接，

所述分離部具有：第二下包覆層，與所述激光器部相接，形成在所述基板上；以及第一吸收層，以與所述有源層連結的方式形成在所述第二下包覆層上，

所述調制部具有：第三下包覆層，與所述分離部相接，形成在所述基板上；第二吸收層，以與所述第一吸收層連結的方式形成在所述第三下包覆層上；第二陽極電極，形成在所述第二吸收層的上方；以及第二陰極電極，一部分與所述第三下包覆層相接，

所述基板由半絕緣體形成，

所述第一下包覆層、所述第二下包覆層和所述第三下包覆層被一體地形成，

所述調制器集成型激光器元件的短尺寸方向的所述第二下包覆層的寬度比所述第一下包覆層的寬度及所述第三下包覆層的寬度窄。

2.根據權利要求1所述的調制器集成型激光器元件，其特征在于，

所述有源層、所述第一吸收層及所述第二吸收層形成寬度均勻的帶狀波導，

所述第二下包覆層僅形成在所述第一吸收層的正下方。

3.根據權利要求1或2所述的調制器集成型激光器元件，其特征在于，具有：掩埋層，在與光的傳播方向垂直的方向上掩埋所述有源層、所述第一吸收層或所述第二吸收層的至少一個，用半絕緣體或載流子濃度為1×10¹⁷cm^-3以下的層形成。

4.根據權利要求1或2所述的調制器集成型激光器元件，其特征在于，所述第二下包覆層由半絕緣體或載流子濃度為1×10¹⁷cm^-3以下的層形成。

5.根據權利要求1或2所述的調制器集成型激光器元件，其特征在于，具有：

第一上包覆層，形成在所述有源層和所述第一陽極電極之間；

第二上包覆層，形成在所述第一吸收層之上；以及

第三上包覆層，形成在所述第二吸收層和所述第二陽極電極之間，

所述第二上包覆層或所述第二下包覆層由半絕緣體或載流子濃度為1×10¹⁷cm^-3以下的層形成。

6.根據權利要求1或2所述的調制器集成型激光器元件，其特征在于，

所述第三下包覆層具有：

所述第二吸收層的正下方的第二吸收層正下方部；以及

離開部，利用從所述調制部的表面至少達到所述基板的槽，與所述第二吸收層正下方部分離地形成，

沿著所述槽的壁面形成有絕緣膜，

所述第二陽極電極具有：

所述第二吸收層正下方部的上方的第二吸收層正上方部；

槽部，沿著所述絕緣膜而形成；以及

引線接合部，形成在所述離開部的上方，

所述離開部與所述第二下包覆層被絕緣。