[發(fā)明專利]采用8T高性能單端口位單元的高性能雙端口SRAM架構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310128640.6 | 申請日： | 2013-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN103295624B | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | M·C·喬希;P·K·熱娜;L·V·霍蘭 | 申請（專利權(quán)）人： | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采用 性能 端口 單元 sarm 架構(gòu) | ||
1.一種用于連接以接收時鐘信號、讀地址信號和寫地址信號的8T存儲位單元，其包括：
讀字線；
寫字線；
讀地址鎖存/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述讀地址信號以在第一時鐘周期狀態(tài)期間開始讀操作；
寫地址觸發(fā)/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述寫地址信號以在第二時鐘周期狀態(tài)期間開始寫操作；和
反相器，所述反相器用于接收和反相所述時鐘信號，以及將所述反相時鐘信號施加至所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路；
其中在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間，所述讀地址鎖存/時鐘電路開始讀字線預(yù)充電操作，以及在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間，所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路開始寫字線預(yù)充電操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的8T存儲位單元，其中所述第一時鐘周期狀態(tài)是高位時鐘周期狀態(tài)，并且所述第二時鐘周期狀態(tài)是低位時鐘周期狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的8T存儲位單元，其中所述高位時鐘周期狀態(tài)和低位時鐘周期狀態(tài)均發(fā)生于單個時鐘周期內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的8T存儲位單元，其中所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路包括自由自定時器，其中如果超過第一預(yù)定時間后所述低位時鐘周期狀態(tài)還在持續(xù)，則所述自由自定時器在第二預(yù)定時間結(jié)束所述寫操作，所述第二預(yù)定時間小于所述第一預(yù)定時間。
5.一種存儲陣列，包括：
多個8T存儲位單元，每個所述8T存儲位單元用于連接以接收時鐘信號、讀地址信號和寫地址信號，每個所述8T存儲位單元包括：
讀字線；
寫字線；
讀地址鎖存/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述讀地址信號以在第一時鐘周期狀態(tài)期間開始讀操作；
寫地址觸發(fā)/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述寫地址信號以在第二時鐘周期狀態(tài)期間開始寫操作；和
反相器，其用于接收和反相所述時鐘信號，并且將所述反相時鐘信號施加至所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路；
其中在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間，所述讀地址鎖存/時鐘電路開始讀字線預(yù)充電操作，以及在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間，所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路開始寫字線預(yù)充電操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲陣列，其中所述第一時鐘周期狀態(tài)是高位狀態(tài)，以及所述第二時鐘周期狀態(tài)是低位狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲陣列，其中所述高位狀態(tài)和所述低位狀態(tài)發(fā)生于單個時鐘周期內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲陣列，其中所述讀操作和所述寫操作發(fā)生于所述單個時鐘周期期間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲陣列，其中所述讀操作發(fā)生于所述單個時鐘周期的高相位期間，以及所述寫操作發(fā)生于所述單個時鐘周期的低相位期間。
10.一種存儲陣列，包括：
多個8T存儲位單元，每個所述8T存儲位單元用于連接以接收時鐘信號、讀地址信號和寫地址信號，每個所述8T存儲位單元包括：
讀字線；
寫字線；
讀地址鎖存/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述讀地址信號以在第一時鐘周期狀態(tài)期間開始讀操作；和
寫地址觸發(fā)/時鐘電路，其接收所述時鐘信號和所述寫地址信號以在第二時鐘周期狀態(tài)期間開始寫操作，
其中所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路包括自由自定時器，其中如果超出第一預(yù)定時間后所述第二時鐘周期狀態(tài)還在持續(xù)，則所述自由自定時器在第二預(yù)定時間結(jié)束所述寫操作，所述第二預(yù)定時間小于所述第一預(yù)定時間。
11.一種操作8T存儲位單元的方法，包括：
向所述8T存儲位單元施加時鐘信號，所述時鐘信號具有第一時鐘周期狀態(tài)和第二時鐘周期狀態(tài)；
在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間，執(zhí)行讀操作；
在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間，執(zhí)行寫操作；和
在所述第二時鐘周期狀態(tài)期間，運行讀地址鎖存/時鐘電路以執(zhí)行讀字線預(yù)充電操作，以及在所述第一時鐘周期狀態(tài)期間，運行寫地址觸發(fā)/時鐘電路以執(zhí)行寫字線預(yù)充電操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一時鐘周期狀態(tài)是高位狀態(tài)，并且所述第二時鐘周期狀態(tài)是低位狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述時鐘信號被施加至所述寫地址觸發(fā)/時鐘電路之前，反相所述時鐘信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括提供自由自定時器，其中如果超過第一預(yù)定時間后所述低位狀態(tài)還在持續(xù)，則所述自由自定時器在第二預(yù)定時間結(jié)束所述寫操作，所述第二預(yù)定時間小于所述第一預(yù)定時間。
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