[發(fā)明專利]一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基粉體熱電材料的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310126683.0 | 申請日: | 2013-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN103193234A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳少平;張霞;李育德;張機(jī)源;樊文浩;孟慶森;易堂紅 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號: | C01B33/06 | 分類號: | C01B33/06;C01B3/06;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 盧茂春 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 多晶 副產(chǎn)物 制備 鎂硅基粉體 熱電 材料 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基熱電材料的方法,屬于熱電材料制備領(lǐng)域,具體而言是利用多晶硅副產(chǎn)物SiCl4制備Mg2Si新型熱電材料的制備技術(shù)方案,特別是能夠利用多晶硅有毒副產(chǎn)物制備出新型綠色能源熱電轉(zhuǎn)換材料。
背景技術(shù)
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)有:改良西門子法、硅烷法和流床法。正在研發(fā)的還有冶金法、氣液沉積法、重?fù)焦鑿U料法制造低成本多晶硅的新工藝,其中以西門子法生產(chǎn)多晶硅為最多。西門子法(三氯氫硅還原法)是以HCl(Cl2、H2)和冶金級工業(yè)為原料,將粗硅(工業(yè)硅)粉與HCl在高溫下合成為SiHCl3,然后對SiHCl3進(jìn)行化學(xué)提純,接著對SiHCl3進(jìn)行多級精餾,使純度達(dá)到9個(gè)9以上。因此,在SiHCl3合成和還原制取多晶硅的過程中,都會產(chǎn)生大量的副產(chǎn)物SiCl4,還原過程產(chǎn)出1t多晶硅所產(chǎn)生的有毒副產(chǎn)物SiCl4往往超過10t,SiCl4又難于回收和轉(zhuǎn)換再利用。目前SiCl4通常作為:(1)制造氣相法白炭黑的主要原料,目前國際市場已趨于飽和,而且高端規(guī)模技術(shù)化仍然有待于突破;(2)生產(chǎn)三氯氫硅,可以通過等離子體法還原四氯化硅、熱氫化技術(shù)、氫氯法、冷氫法得到三氯氫硅,但是由于將四氯化硅通過這些技術(shù)轉(zhuǎn)術(shù)轉(zhuǎn)化成三氯氫硅的成本比直接合成三氯氫硅的成本還要高,使這些技術(shù)難以工業(yè)化;(3)光纖高純四氯化硅,2009年中國光纖用量8800萬纖芯公里,預(yù)制棒70進(jìn)口,若全部自制最多需SiCl4約4000噸,無法消化一千噸多晶硅公司的SiCl4;(4)用來生產(chǎn)多晶硅,2009年中國光纖用量8800萬纖芯公里,預(yù)制棒70進(jìn)口,若全部自制最多需要SiCl4約4000噸,無法消化一千噸多晶硅公司的SiCl4;(5)合成一些有機(jī)硅產(chǎn)品,合成一些有機(jī)硅產(chǎn)品會受到次生污染和消耗量的制約,而且此方法消耗的SiCl4有限。
熱電材料是利用熱電效應(yīng)(溫差電效應(yīng))實(shí)現(xiàn)電能與熱能之間相互轉(zhuǎn)換的一類功能性材料,轉(zhuǎn)換過程不需要任何傳動裝置,因此工作時(shí)無噪音、無排棄物,對環(huán)境無污染,并且使用壽命長,具有廣泛的應(yīng)用前景。其中Mg–Si基熱電材料屬于中溫?zé)犭姴牧希ぷ鳒囟葹?00~800K,其廉價(jià)、無毒、耐腐蝕、高溫下穩(wěn)定性好,是一種新型綠色能源材料,具有廣泛的應(yīng)用前景。利用有毒副產(chǎn)物SiCl4制備Mg2Si熱電材料,為我國多晶硅產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展開辟了新的途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基熱電材料的方法目的在于:為解決現(xiàn)有技術(shù)中SiCl4回收難的問題,從而公開一種利用多晶硅副產(chǎn)物SiCl4制備Mg2Si新型熱電材料的技術(shù)方案,該方法降低了生產(chǎn)成本,解決了SiCl4回收難的問題,反應(yīng)產(chǎn)物Mg2Si屬于綠色能源,減少了環(huán)境污染。
本發(fā)明一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基熱電材料的方法,其特征在于是利用多晶硅副產(chǎn)物SiCl4通過化學(xué)反應(yīng)制備出Mg2Si熱電材料的方法,該方法是先由按比例混合的顆粒度≤45μm,純度≥99.5%的MgH2粉末原材料和純度為99%的SiCl4在純度為99.2%的有機(jī)溶劑C4H8O中反應(yīng)生成SiH4氣體,C4H8O不直接參與反應(yīng);然后SiH4氣體再與顆粒度≤45μm,純度≥99.5%的MgH2?原材料通過加熱反應(yīng)得到Mg2Si粉末,反應(yīng)方程式為:?
SiCl4+2MgH2=2MgCl2+SiH4??????????????????????????????????????(1)
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