[發(fā)明專利]一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基粉體熱電材料的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310126683.0 | 申請日: | 2013-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN103193234A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳少平;張霞;李育德;張機源;樊文浩;孟慶森;易堂紅 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | C01B33/06 | 分類號: | C01B33/06;C01B3/06;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 盧茂春 |
| 地址: | 030024 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 多晶 副產(chǎn)物 制備 鎂硅基粉體 熱電 材料 方法 | ||
1.一種利用多晶硅副產(chǎn)物制備鎂硅基熱電材料的方法,其特征在于是利用多晶硅副產(chǎn)物SiCl4通過化學反應制備出Mg2Si熱電材料的方法,該方法是先由按比例混合的顆粒度≤45μm,純度≥99.5%的MgH2粉末原材料和純度為99%的SiCl4在純度為99.2%的有機溶劑C4H8O中反應生成SiH4氣體,C4H8O不直接參與反應;然后SiH4氣體再與顆粒度≤45μm,純度≥99.5%的MgH2?原材料通過加熱反應得到Mg2Si粉末,反應方程式為:?
SiCl4+2MgH2=2MgCl2+SiH4??????????????????????????????????????(1)
SiH4+2MgH2=Mg2Si+4H2?????????????????????????????????????????(2)
為保證SiCl4反應完全,對于方程(1)反應物SiCl4和MgH2的摩爾比小于等于0.5,具體反應步驟為:
先稱取MgH2和C4H8O置于三口燒瓶4中,并密封,再稱取MgH2置于U型反應器10中,并密封,把三口燒瓶4和過濾裝置5、干燥裝置6、集氣瓶7、減壓閥8、流量計9、U型反應器10和礦物油12采用石英管依次連接(如圖1所示),其中三口燒瓶4浸沒于溫度為120-130℃的甘油浴13中,并用電動攪拌器2持續(xù)攪拌,U型反應器10置于加熱爐11中;
2)向整個連接裝置中通入載流氣體Ar進行清洗5-10min;
3)用注射器3將SiCl4注射到三口燒瓶4中,反應后得到產(chǎn)物SiH4,SiH4經(jīng)過濾裝置5和干燥裝置6后收集在集氣瓶7中,打開減壓閥8和流量計9,將SiH4通入U型反應器10中與MgH2進行反應,反應溫度為400-450℃,生成的副產(chǎn)物氫氣通入礦物油12中,產(chǎn)物Mg2Si粉體自然冷卻至室溫。
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