[發明專利]半導體制造設備的工藝任務配置處理系統及方法有效
| 申請號: | 201310126410.6 | 申請日: | 2013-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN104103552A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 張繼宏 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 陳振 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 設備 工藝 任務 配置 處理 系統 方法 | ||
1.一種半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,包括任務模塊、進程模塊及工藝模塊;
所述任務模塊包括第一配置模塊,所述第一配置模塊用于配置硅片裝載端口的位置、片盒中硅片的數目和位置,以及每個硅片使用的工藝進程;
所述進程模塊包括第二配置模塊,所述第二配置模塊用于配置使用同一個所述工藝進程的每個硅片運行的工藝路徑和工藝腔室;
所述工藝模塊包括第三配置模塊,所述第三配置模塊用于配置不同的工藝腔室運行的工藝。
2.根據權利要求1所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,所述第一配置模塊包括裝載端口設置子模塊、片盒設置子模塊及硅片設置子模塊;
所述裝載端口設置子模塊,用于設置所述硅片裝載端口的位置;
所述片盒設置子模塊,用于設置所述片盒中硅片的數目和位置;
所述硅片設置子模塊,用于設置所述每個硅片使用的所述工藝進程。
3.根據權利要求1所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,所述第二配置模塊,包括腔室設置子模塊和路徑設置子模塊;
所述腔室設置子模塊,用于設置使用同一個所述工藝進程的每個硅片所運行的工藝腔室,一個所述工藝進程對應一個或多個工藝腔室;
所述路徑設置子模塊,用于設置使用同一個所述工藝進程的每個硅片所運行的工藝路徑。
4.根據權利要求1所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,所述第三配置模塊包括工藝設置子模塊,用于設置各個工藝腔室所運行的工藝,一個所述工藝腔室對應一種工藝。
5.根據權利要求3所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,所述第二配置模塊還包括選擇子模塊,用于根據使用同一個所述工藝進程的硅片需要運行的工藝,選擇一個或多個工藝腔室。
6.根據權利要求1至5任一項所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理系統,其特征在于,還包括運行模塊;
所述運行模塊,用于根據所述任務模塊、進程模塊及工藝模塊的配置,配置工藝任務的參數,并發送給所述半導體制造設備運行,處理半導體材料。
7.一種半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,包括如下步驟:
配置硅片裝載端口的位置、片盒中硅片的數目和位置,以及每個硅片使用的工藝進程;
配置使用同一個所述工藝進程的每個硅片運行的工藝路徑和工藝腔室;
配置不同的所述工藝腔室運行的工藝。
8.根據權利要求7所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,所述配置硅片裝載端口的位置、片盒中硅片的數目和位置,以及每個硅片使用的工藝進程,包括如下步驟:
設置所述硅片裝載端口的位置;
設置所述片盒中硅片的數目和位置;
設置每個硅片使用的所述工藝進程。
9.根據權利要求7所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,所述配置使用同一個所述工藝進程的每個硅片運行的工藝路徑和工藝腔室,包括如下步驟:
設置使用同一個所述工藝進程的每個硅片所運行的工藝腔室,一個所述工藝進程對應一個或多個工藝腔室;
設置使用同一個所述工藝進程的每個硅片所運行的工藝路徑。
10.根據權利要求7所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,所述配置不同的工藝腔室所運行的工藝,包括如下步驟:
設置各個工藝腔室所運行的工藝,一個所述工藝腔室設置一種工藝。
11.根據權利要求7所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,所述設置使用同一個所述工藝進程的每個硅片所運行的工藝腔室之前,還包括如下步驟:
根據使用同一個工藝進程的硅片需要運行的工藝,選擇一個或多個工藝腔室。
12.根據權利要求7至11任一項所述的半導體制造設備的工藝任務配置處理方法,其特征在于,所述配置不同的所述工藝腔室運行的工藝之后,還包括以下步驟:
配置工藝任務的參數,并發送給所述半導體制造設備運行,處理半導體材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





