[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201310125650.4
• 申請日: 2013-04-11
• 公開（公告）號: CN104103506B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 唐兆云;閆江;李俊峰;唐波
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙)11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成鰭片結構，具有較寬的第二部分以及較窄的第一部分，其中第一部分側面具有側墻；

在襯底以及鰭片結構上形成層間介質層；

去除側墻，在層間介質層中留下柵極溝槽；

在柵極溝槽中填充柵極堆疊，所述柵極堆疊并未覆蓋所述鰭片結構的第二部分的側壁。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成鰭片結構的步驟具體包括：

在襯底上形成鰭片結構的第一部分；

在鰭片結構的第一部分側面形成側墻；

以側墻為掩模刻蝕襯底，使得側墻以及第一部分下方的襯底構成鰭片結構的第二部分。

3.如權利要求2的半導體器件制造方法，其中，采用各向異性工藝刻蝕襯底。

4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成鰭片結構之前進一步包括在襯底上形成硬掩模層。

5.如權利要求4的半導體器件制造方法，其中，硬掩模層包括氧化硅和氮化硅的組合疊層。

6.如權利要求5的半導體器件制造方法，其中，去除側墻同時也去除硬掩模層的一部分。

7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，采用濕法腐蝕去除側墻。

8.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，側墻材料包括氮化硅、氮氧化硅、非晶碳、DLC及其組合。

9.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，層間介質層材料包括氧化硅、氮氧化硅、低k材料及其組合。

10.一種半導體器件，包括襯底、襯底上的鰭片結構、鰭片結構頂部以及上部的柵極堆疊，其中，鰭片結構具有較寬的第二部分以及較窄的第一部分，柵極堆疊位于第二部分上以及第一部分側壁，所述柵極堆疊并未覆蓋所述鰭片結構的第二部分的側壁。