[發(fā)明專利]擺片裝置及其調整方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310122693.7 | 申請日: | 2013-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN104103711A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 韓盼盼 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100026 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 及其 調整 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于半導體晶片加工技術領域,具體涉及一種擺片裝置及其調整方法。
背景技術
隨著太陽能技術的不斷發(fā)展,晶硅太陽能電池作為新興的清潔可再生能源,得到了越來越廣泛的應用。晶硅太陽能電池的制造需要利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,PECVD)系統(tǒng),硅片在PECVD系統(tǒng)中,首先要由龍門架將硅片從傳送帶上擺放到裝載臺上的載板中(擺片過程),再進入PECVD系統(tǒng)中的預熱腔、工藝腔、冷卻腔、卸載臺等進行加工。裝載臺上設置的夾持氣缸可將載板固定在裝載臺上,并且載板上設置有若干個用于擺放硅片的片槽,片槽的大小幾乎是與硅片相等的,在擺片過程中應當快捷、準確的將硅片擺放在片槽中,以保證后續(xù)鍍膜工藝的效率和質量。
本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有技術至少存在以下問題:在實際的生產過程中,可能會出現(xiàn)硅片偏離片槽,而導致硅片搭在片槽的邊緣上的現(xiàn)象,即搭片現(xiàn)象。搭片現(xiàn)象的主要原因是夾持氣缸對載板的施力不均勻,而使載板的位置產生偏移。目前,只能通過手動調節(jié)夾持氣缸將載板重新定位,以調整搭片問題,但是手動調節(jié)夾持氣缸的力度很難把握,有時候還需要將夾持氣缸卸下來重新安裝,這樣非常浪費時間,因此現(xiàn)有的調整搭片問題的方法比較復雜,影響晶硅太陽能電池的生產效率。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供了一種擺片裝置及其調整方法,解決了現(xiàn)有的調整搭片問題的方法比較復雜,影響晶硅太陽能電池的生產效率的技術問題。
為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
本發(fā)明提供一種擺片裝置,包括裝載臺、傳送帶和龍門架;
所述裝載臺用于承載載板,所述載板上設置有若干個用于擺放硅片的片槽;
所述裝載臺上設置有至少三個定位器,用于從至少三個方向調節(jié)并固定所述載板的位置;
所述傳送帶位于所述裝載臺的一側,用于傳送待擺放的硅片;
所述龍門架用于將所述傳送帶上的硅片擺放到所述載板上。
進一步,該擺片裝置還包括上料臺和機械手;
所述上料臺用于放置裝有硅片的料盒;
所述機械手用于將所述料盒中的硅片取出并放置在所述傳送帶上。
優(yōu)選的,所述定位器為伺服電機。
優(yōu)選的,所述定位器的數(shù)量為三個,且該三個定位器分別設置于所述裝載臺的前側、左側、后側。
本發(fā)明還提供一種基于上述擺片裝置的調整方法,包括:
當硅片偏離片槽時,
獲取所述硅片偏離的距離;
根據(jù)所述硅片偏離的距離,調節(jié)載板、傳送帶或龍門架的位置。
進一步,在所述獲取所述硅片偏離的距離之前,還包括:
判斷造成所述硅片偏離的原因;
則根據(jù)所述硅片偏離的距離,調節(jié)載板、傳送帶或龍門架的位置,具體為:
根據(jù)所述硅片偏離的原因和距離,調節(jié)載板、傳送帶或龍門架的位置。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明所提供的上述技術方案具有如下優(yōu)點:因為載板是通過至少三個定位器從至少三個方向固定在裝載臺上,并且通過定位器能夠非常方便的調節(jié)并固定載板的位置,所以當擺片過程中出現(xiàn)搭片現(xiàn)象時,工作人員就可以在獲取硅片偏離的距離之后,根據(jù)該距離實時手動調節(jié)載板、傳送帶或龍門架的位置,從而能夠簡單、快捷的解決搭片問題,提高晶硅太陽能電池的生產效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
圖1為本發(fā)明的實施例所提供的擺片裝置的結構示意圖;
圖2為本發(fā)明的實施例所提供的調整方法的流程圖;
圖3為本發(fā)明的實施例所提供的調整方法的另一流程圖;
圖4a和圖4b為本發(fā)明的實施例中硅片向前后方向偏離的示意圖;
圖5a和圖5b為本發(fā)明的實施例中硅片向左右方向偏離的示意圖;
圖6a至圖6d為本發(fā)明的實施例中硅片向斜向方向偏離的示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





