[發(fā)明專利]銻化銦紅外探測器脫水處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310120400.1 | 申請日： | 2013-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN103219424A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 亢喆;邱國臣;肖鈺 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 田衛(wèi)平 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銻化銦 紅外探測器 脫水 處理 方法 | ||
1.一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法，其特征在于，包括：
對臺面腐蝕之后的銻化銦紅外探測器進行清洗處理；
將清洗之后的所述銻化銦紅外探測器放入甲醇中進行脫水處理；
將脫水處理后的所述銻化銦紅外探測器放在臭氧氧化設備內，進行干燥處理和臭氧氧化處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進行清洗處理具體包括：
使用電阻率大于12MΩ的去離子水對所述銻化銦紅外探測器進行清洗，沖洗時間為30-60分鐘。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其特征在于，進行脫水處理具體包括：
將預處理后的所述銻化銦紅外探測器浸沒在甲醇溶液中進行脫水處理，時間為1-3分鐘，并重復多次。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，在干燥處理之前進一步包括：
使用氮氣將脫水處理后的所述銻化銦紅外探測器表面的甲醇吹散至所述銻化銦紅外探測器的外圍。
5.根據(jù)權利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述干燥處理的溫度和所述臭氧氧化的溫度均為70-120攝氏度，所述臭氧氧化時間為20-40分鐘。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述干燥處理的溫度為80-100攝氏度。
7.根據(jù)權利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化處理的步驟具體包括：
打開所述臭氧氧化設備內的氧氣和紫外線燈，使所述銻化銦紅外探測器在加熱和臭氧條件下進行氧化。
8.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化的溫度為80-100度。
9.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化時間為30分鐘。
10.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述臭氧氧化處理的步驟之后，進一步包括：
將臭氧氧化后的所述銻化銦紅外探測器進行鈍化處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
