[發明專利]銻化銦紅外探測器脫水處理方法

有效

• 申請號: 201310120400.1
• 申請日: 2013-04-09
• 公開（公告）號: CN103219424A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 亢喆;邱國臣;肖鈺
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田衛平

技術領域

本發明涉及通信技術領域，尤其涉及一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法。

背景技術

銻化銦是一種重要的中波紅外探測器件材料，經過幾十年的發展，芯片結構已由單元、多元發展至一維線列和二維面陣焦平面陣列。目前，對中波高分辨率銻化銦紅外焦平面探測器的研究已轉入應用階段，各種規格的銻化銦紅外焦平面探測器已大量裝備于各種系統中。

在基于銻化銦材料的紅外探測器制備工藝中，鈍化前的芯片處理是一個非常重要的工藝步驟，直接對探測器芯片的性能產生影響。目前對銻化銦探測器材料主要是直接采用臭氧氧化或直接PECVD鈍化的工藝步驟，但是這樣制備的銻化銦紅外探測器的一致性差。

發明內容

鑒于上述的分析，本發明旨在提供一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法，用以解決現有技術中制備的銻化銦紅外探測器的一致性差的問題。

本發明的目的主要是通過以下技術方案實現的：

一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法，包括：

對臺面腐蝕之后的銻化銦紅外探測器進行清洗處理；

將清洗之后的所述銻化銦紅外探測器放入甲醇中進行脫水處理；

將脫水處理后的所述銻化銦紅外探測器放在臭氧氧化設備內，進行干燥處理和臭氧氧化處理。

優選地，進行清洗處理具體包括：

使用電阻率大于12MΩ的去離子水對所述銻化銦紅外探測器進行清洗，沖洗時間為30-60分鐘。

優選地，進行脫水處理具體包括：

將預處理后的所述銻化銦紅外探測器浸沒在甲醇溶液中進行脫水處理，時間為1-3分鐘，并重復多次。

優選地，在干燥處理之前進一步包括：

使用氮氣將脫水處理后的所述銻化銦紅外探測器表面的甲醇吹散至所述銻化銦紅外探測器的外圍。

優選地，所述干燥處理的溫度和所述臭氧氧化的溫度均為70-120攝氏度，所述臭氧氧化時間為20-40分鐘。

優選地，所述干燥處理的溫度為80-100攝氏度。

優選地，所述臭氧氧化處理的步驟具體包括：

打開所述臭氧氧化設備內的氧氣和紫外線燈，使所述銻化銦紅外探測器在加熱和臭氧條件下進行氧化。

優選地，所述臭氧氧化的溫度為80-100度。

優選地，所述臭氧氧化時間為30分鐘。

優選地，所述臭氧氧化處理的步驟之后，進一步包括：

將臭氧氧化后的所述銻化銦紅外探測器進行鈍化處理。

本發明有益效果如下：

本發明提供了一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法，通過對銻化銦紅外探測器依次進行清洗、脫水處理，從而徹底去除銻化銦紅外探測器上面存留的雜質和水，避免了銻化銦紅外探測器性能隨凈化間濕度變化而產生的大幅波動，從而基本穩定了芯片性能批次內和批次間的一致性，而干燥處理和臭氧氧化處理則使脫水處理的效果在高濕度的凈化間環境中得到保持，避免了水汽對芯片的二次污染。

本發明的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

圖1為本發明實施例的銻化銦紅外探測器脫水處理方法。

具體實施方式

下面結合附圖來具體描述本發明的優選實施例，其中，附圖構成本申請一部分，并與本發明的實施例一起用于闡釋本發明的原理。為了清楚和簡化目的，當其可能使本發明的主題模糊不清時，將省略本文所描述的器件中已知功能和結構的詳細具體說明。

實施例1

本發明實施例提供了一種銻化銦紅外探測器脫水處理方法，參見圖1，該方法包括：

S101、將臺面腐蝕之后的銻化銦紅外探測器進行清洗處理清洗處理；

其中，所述清洗處理清洗處理具體包括：

使用電阻率大于12MΩ的去離子水對所述銻化銦紅外探測器進行清洗，沖洗時間為30-60分鐘，從而徹底去除銻化銦紅外探測器上殘存的雜質。

S102、將清洗處理后的所述銻化銦紅外探測器浸沒在甲醇溶液中進行脫水處理，時間為1-3分鐘，并重復三次，充分的將殘存在所述銻化銦紅外探測器上的水進行去除，從而有效地控制了芯片性能隨凈化間濕度變化而產生的大幅波動，穩定了芯片性能批次內和批次間的一致性。

S103、使用氮氣將脫水處理后的所述銻化銦紅外探測器表面的甲醇吹散至所述銻化銦紅外探測器的外圍；