[發(fā)明專(zhuān)利]淺溝槽隔離工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310119905.6
• 申請(qǐng)日: 2013-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103227143A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白英英;張守龍;張冬芳;陳玉文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/762
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種淺溝槽隔離工藝，其特征在于，包括：

于一半導(dǎo)體襯底上生長(zhǎng)第一保護(hù)層，采用第一光刻、第一刻蝕工藝，于所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽；

沉積阻擋層覆蓋剩余的第一保護(hù)層的表面和所述第一溝槽的底部及其側(cè)壁；

填充隔離材料充滿所述第一溝槽并覆蓋所述阻擋層的表面；

對(duì)所述隔離材料進(jìn)行平坦化工藝至剩余的半導(dǎo)體襯底的表面，形成位于所述第一溝槽中的第一隔離材料層；

制備第二保護(hù)層覆蓋所述剩余的半導(dǎo)體襯底的表面和所述第一隔離材料層的表面，沉積氮化硅層覆蓋所述第二保護(hù)層的上；

采用第二光刻、第二刻蝕工藝刻蝕所述氮化硅層至所述第一隔離材料層的表面，形成第二溝槽；

填充隔離材料充滿所述第二溝槽并覆蓋剩余的氮化硅層的表面；

對(duì)所述隔離材料進(jìn)行平坦化工藝至所述剩余的氮化硅層的表面，形成位于所述第二溝槽中的第二隔離材料層；

其中，所述第二溝槽位于所述第一溝槽的正上方，且所述第二溝槽與所述第一溝槽相互對(duì)準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層的材質(zhì)均為氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝分別填充所述隔離材料至所述第一溝槽和所述第二溝槽中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除多余的第一保護(hù)層后，形成所述第一隔離材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，采用相同的光罩進(jìn)行所述第一光刻和所述第二光刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，于所述第二刻蝕工藝完成后，繼續(xù)采用濕法刻蝕工藝，以擴(kuò)大所述第二刻蝕工藝制備的凹槽的寬度，進(jìn)而形成所述第二凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離工藝，其特征在于，所述隔離材料為HARP材料。