[發明專利]一種含鋯鎂合金犧牲陽極材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310119195.7
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN103205762A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 郝杰;盧發海;胡光山;張丁非;余大亮;蔣璐瑤;郭非;郭瑞峰;魏新磊
• 申請（專利權）人: 鶴壁萬德芙鎂科技有限公司;重慶大學
• 主分類號: C23F13/14
• 分類號: C23F13/14;C22C23/00;B22D18/04
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種含鋯鎂合金犧牲陽極材料，其特征在于：所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料按質量百分比計由以下組分組成：

鋯：0.03%～0.07%，

錳：0.5%～1.3%，

硅：≤0.05%，

雜質：單個≤0.05%，總量≤0.3%，

其余為鎂。

2.如權利要求1所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料，其特征在于：所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料按質量百分比計由以下組分組成：

鋯：0.05%，

錳：0.8%，

硅：≤0.05%，

雜質：單個≤0.05%，總量≤0.3%，

其余為鎂。

3.如權利要求1所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料，其特征在于：所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料中鋯與硅質量比為5～10：1。

4.一種制備如權利要求1所述含鋯鎂合金犧牲陽極材料的方法，其特征在于：按照質量百分比選取工業純鎂和工業純二氯化錳，混合加熱到775～785℃使其全部熔化，靜置降溫到750～760℃，加入相應質量百分比的鎂鋯中間合金，使其熔化并攪拌均勻，將所得熔液按照低壓鑄造方式進行鑄造，得到鑄態含鋯鎂合金。

5.如權利要求4所述制備含鋯鎂合金犧牲陽極材料的方法，其特征在于：所述低壓鑄造采用SF₆氣體給鎂合金熔液施加壓力。