[發(fā)明專利]TFT基板的清洗方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310117612.4 | 申請日: | 2013-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN103199006A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳玉龍;張迅;易偉華 | 申請(專利權(quán))人: | 江西沃格光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 338004 江西省新余*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tft 清洗 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及TFT基板領(lǐng)域,特別是涉及一種TFT基板的清洗方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的TFT(薄膜場效應(yīng)晶體管)基板的清洗方法為:將拋光漿料研磨后的TFT基板放在洗片臺內(nèi),用純水噴淋TFT基板表面,后用擰干的海綿擦拭TFT基板表面,之后將TFT基板置于純水槽中上下浮動2~3次浸泡,拿出后自然晾干,得到清洗后的TFT基板。
但是上述TFT基板的清洗方法存在一定的缺陷,如清洗后的TFT基板表面會呈現(xiàn)拋光漿料的污跡(無法擦拭除去),造成TFT基板表面殘留有污跡,會影響后續(xù)TFT基板鍍膜的效果;另外,上述污跡只能通過二次拋光漿料研磨的方法進(jìn)行去除,且增加了TFT基板的破片風(fēng)險,降低了效率。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種清洗效果較佳、提高產(chǎn)率的TFT基板的清洗方法。
一種TFT基板的清洗方法,包括以下步驟:
將食醋或醋酸溶液均勻噴灑在拋光漿料研磨后的TFT基板的表面,其中,所述拋光漿料中含有氧化鈰;
將所述TFT基板表面的所述食醋或所述醋酸溶液擦拭除去;及
用純水清洗所述TFT基板表面,自然晾干,得到清洗后的TFT基板。
在其中一個實施例中,所述食醋為白醋。
在其中一個實施例中,用純水清洗所述TFT基板表面的步驟包括:
用純水噴洗所述TFT基板表面;
將所述TFT基板表面的所述純水擦拭除去;
將所述TFT基板置于純水中進(jìn)行浸泡。
在其中一個實施例中,將所述TFT基板置于純水中進(jìn)行浸泡的步驟包括:
將所述TFT基板豎直置于純水中上下浮動2~3次浸泡,浸泡時間為5~10s。
在其中一個實施例中,用海綿塊擦拭除去所述TFT基板表面的所述食醋、所述醋酸溶液或所述純水。
上述TFT基板的清洗方法,食醋或醋酸溶液中的醋酸與氧化鈰發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使氧化鈰變?yōu)殁嬰x子而溶解于食醋或醋酸溶液中,去除TFT基板表面殘余的拋光漿料污跡,清洗效果較佳;且不需進(jìn)行二次拋光漿料研磨,減少能耗,提高了TFT基板的效率。
附圖說明
圖1為一實施方式的TFT基板的清洗方法的流程圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面對本發(fā)明的具體實施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn),因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
請參閱圖1,一實施方式的TFT基板的清洗方法,包括以下步驟:
步驟S100、將食醋或醋酸溶液均勻噴灑在拋光漿料研磨后的TFT基板的表面,其中,拋光漿料中含有氧化鈰。
其中,食醋或醋酸溶液為白醋、米醋或其他常用的食醋。本實施方式中,食醋為白醋。食醋或醋酸溶液中含有醋酸,醋酸能與氧化鈰發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使氧化鈰變?yōu)殁嬰x子而溶解于食醋或醋酸溶液中,去除TFT基板表面殘余的拋光漿料污跡。
步驟S200、將TFT基板表面的食醋或醋酸溶液擦拭除去。
在食醋或醋酸溶液均勻噴灑在拋光漿料研磨后的TFT基板表面后,可立即用擰干水的海綿塊將食醋或醋酸溶液擦拭除去。
步驟S300、用純水清洗TFT基板表面,自然晾干,得到清洗后的TFT基板。
用純水清洗TFT基板表面的步驟具體包括:
1、用純水噴洗TFT基板表面。
用純水噴洗TFT基板表面,能夠去除殘余的食醋或醋酸溶液,初步清洗TFT基板。
2、將TFT基板表面的純水擦拭除去。
用擰干水的海綿塊將TFT基板表面的純水擦拭除去。
3、將TFT基板置于純水中進(jìn)行浸泡。
將TFT基板豎直置于純水中上下浮動2~3次浸泡,浸泡時間為5~10s。將TFT基板置于純水中浸泡,能夠徹底清洗TFT基板,為后續(xù)鍍膜做好準(zhǔn)備。
上述TFT基板的清洗方法,食醋或醋酸溶液中的醋酸與氧化鈰發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使氧化鈰變?yōu)殁嬰x子而溶解于食醋或醋酸溶液中,去除TFT基板表面殘余的拋光漿料污跡,清洗效果較佳;且不需進(jìn)行二次拋光漿料研磨,減少能耗,提高了TFT基板的效率。
下面結(jié)合具體實施例,對TFT基板的清洗方法做進(jìn)一步的闡述。
實施例1
將白醋均勻噴灑在拋光漿料研磨后的TFT基板的表面,其中,拋光漿料中含有氧化鈰。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江西沃格光電科技有限公司,未經(jīng)江西沃格光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310117612.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





