[發(fā)明專利]一種直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層及其原位制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310117223.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103193514A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉汝萃;劉汝強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東國(guó)晶新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B41/89 | 分類號(hào): | C04B41/89;C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 朱家富 |
| 地址: | 251200 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 直接 保護(hù) 碳纖維 蒸汽 侵蝕 涂層 及其 原位 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層及其原位制備方法。
技術(shù)背景
碳纖維增強(qiáng)碳基復(fù)合材料(簡(jiǎn)稱碳/碳)具有密度低、強(qiáng)度高、導(dǎo)熱快、高溫強(qiáng)度保留率高、熱升華溫度高以及可以獲得高純度等突出特點(diǎn),在高溫工業(yè)領(lǐng)域得到廣泛的認(rèn)可和應(yīng)用,特別是硅材料熔煉提純、鑄錠、拉制單晶等領(lǐng)域。但是,在碳纖維增強(qiáng)碳基復(fù)合材料中,熱解碳、樹脂碳、瀝青碳等碳基體同屬碳素材料,均不能有效保護(hù)碳纖維,在高溫使役過(guò)程中,環(huán)境氣氛滲入構(gòu)件內(nèi)部、侵蝕碳纖維,特別是在硅材料熔煉提純、鑄錠、拉制單晶使用碳/碳復(fù)合材料坩堝時(shí),硅蒸汽滲入坩堝壁內(nèi)部,碳纖維與之發(fā)生高溫化學(xué)反應(yīng)而失強(qiáng),進(jìn)而導(dǎo)致坩堝等碳/碳構(gòu)件過(guò)早失效報(bào)廢。控制和防止碳基復(fù)合材料中碳纖維與環(huán)境氣氛發(fā)生不利化學(xué)侵蝕反應(yīng)的最佳途徑是對(duì)碳纖維施加抗侵蝕涂層。
高純度碳化硅SiC具有密度低、熱穩(wěn)定性好、高溫抗氧化、抗沖刷、耐腐蝕等優(yōu)異性能,是碳基復(fù)合材料中碳纖維抗硅蒸汽侵蝕保護(hù)涂層的理想材料體系,化學(xué)氣相沉積、固相漿料涂覆、液相涂覆等眾多傳統(tǒng)方法亦被開(kāi)發(fā)用于制備碳化硅涂層。但是,這些傳統(tǒng)方法在碳/碳復(fù)合材料坩堝中碳纖維表面制備碳化硅涂層時(shí),存在一些突出問(wèn)題:1.致密度,采用傳統(tǒng)的工藝制備的碳化硅涂層難以完全致密;2.結(jié)合強(qiáng)度,由于碳化硅與碳纖維的熱膨脹性能存在差異,采用傳統(tǒng)的工藝制備的碳化硅涂層往往容易從碳纖維表面開(kāi)裂脫落,3.包覆完整度,采用傳統(tǒng)的工藝制備的碳化硅涂層都存在涂覆不均、殘留空白的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層及其原位制備方法。
術(shù)語(yǔ)說(shuō)明:
碳/碳復(fù)合材料坩堝:是在按坩堝形狀成型的碳纖維立體織物預(yù)制體孔隙中采用化學(xué)氣相沉積(簡(jiǎn)稱CVD工藝)、浸漬碳化工藝(簡(jiǎn)稱PIP工藝)填充碳基體而得的碳纖維增強(qiáng)碳基復(fù)合材料構(gòu)件。
直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層:是在碳纖維立體織物中碳纖維表面上,通過(guò)原位化學(xué)氣相反應(yīng)和沉積,涂覆致密均勻、包覆完整、結(jié)合強(qiáng)度高的碳-碳化硅復(fù)合涂層,從而有效保護(hù)碳/碳復(fù)合材料坩堝中碳纖維免受硅蒸汽侵蝕。
成型的立體織物預(yù)制體:指根據(jù)需要制備的具有固定形狀的碳纖維立體物件;包括但不限于坩堝,圓盤狀構(gòu)件,環(huán)形構(gòu)件等;體積密度一般在0.25~0.85g/cm3。
小分子烴氣:指含≤3個(gè)碳原子的常溫下為氣體狀態(tài)的烴。
小分子硅氯化合物氣體:指含1個(gè)硅原子和≥1個(gè)氯原子的硅烷化合物的蒸汽。
發(fā)明概述:
直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層是通過(guò)在已成型的立體織物預(yù)制體中碳纖維表面上首先沉積一層熱解碳基底層,然后再沉積一層富碳化硅保護(hù)層。具體為:將已成型的碳纖維立體織物預(yù)制體置于化學(xué)氣相沉積室內(nèi),在高溫加熱條件下,以氫氣、氮?dú)鉃橄♂尡Wo(hù)氣體,首先在高溫反應(yīng)室通入小分子烴氣,熱解碳在已成型的立體織物預(yù)制體中碳纖維表面上沉積,原位形成初級(jí)熱解碳基底層;然后通入小分子烴氣、小分子硅氯化合物氣體,熱解碳、熱解硅在初級(jí)熱解碳基底層上沉積一層二級(jí)富碳化硅保護(hù)層,最終獲得抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層。
發(fā)明詳述:
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層,該內(nèi)涂層是在碳纖維表面通過(guò)化學(xué)氣相沉淀的方式覆蓋一層初級(jí)熱解碳基底層,再在初級(jí)熱解碳基底層表面通過(guò)化學(xué)氣相沉的方式覆蓋一層二級(jí)富碳化硅保護(hù)層;所述的初級(jí)熱解碳基底層為緊密粘結(jié)在碳纖維表面上的熱解碳,所述的二級(jí)富碳化硅保護(hù)層為與初級(jí)熱解碳基底層緊密均勻結(jié)合的碳化硅。
一種直接保護(hù)碳纖維的抗硅蒸汽侵蝕內(nèi)涂層的制備方法,步驟如下:
(1)將成型的立體織物預(yù)制體置在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室中,于900~1500℃,100~6000Pa真空度條件下,保溫5~30min;
(2)以N2、H2氣作為保護(hù)稀釋氣體,按小分子烴氣:N2:H2=(10~50):(10~50):(0~4)的體積比將小分子烴氣、N2和H2通入步驟(1)的反應(yīng)室內(nèi),通氣反應(yīng)10~120min,得初級(jí)熱解碳基底層,所述的N2流速控制在100~2000ml/min;
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