[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310115674.1 | 申請日： | 2013-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN104064530B | 公開（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林邦群;程協(xié)仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：
基板，其為單層的線路結(jié)構(gòu)，并包含一絕緣保護(hù)層及嵌埋于該絕緣保護(hù)層中的線路層，該線路層的上側(cè)包含有轉(zhuǎn)接墊、第一電性接觸墊及位于該轉(zhuǎn)接墊與第一電性接觸墊之間的線路，而該線路層的下側(cè)包含有多個植球墊，該轉(zhuǎn)接墊、第一電性接觸墊、線路外露于該絕緣保護(hù)層的上側(cè)，而該植球墊外露于該絕緣保護(hù)層的下側(cè)；
絕緣層，其覆蓋該線路；
導(dǎo)電層，其形成于該絕緣層上，且該導(dǎo)電層延伸至該轉(zhuǎn)接墊與第一電性接觸墊上；以及
半導(dǎo)體組件，其設(shè)于該基板上，且該半導(dǎo)體組件以多條焊線電性連接該轉(zhuǎn)接墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板還具有多個第二電性接觸墊，以供該半導(dǎo)體組件以該些焊線電性連接該第二電性接觸墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該線路相對凸出該基板表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該轉(zhuǎn)接墊、導(dǎo)電層與第一電性接觸墊成為導(dǎo)電路徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該轉(zhuǎn)接墊、線路與第一電性接觸墊上具有表面處理層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該絕緣層為膠體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該導(dǎo)電層為膠體或金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件還包括封裝膠體，其形成于該基板上，以包覆該半導(dǎo)體組件、焊線、轉(zhuǎn)接墊、導(dǎo)電層與第一電性接觸墊。
9.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：
提供一基板，該基板為單層的線路結(jié)構(gòu)，并包含一絕緣保護(hù)層及嵌埋于該絕緣保護(hù)層中的線路層，該線路層的上側(cè)包含有轉(zhuǎn)接墊、第一電性接觸墊及位于該轉(zhuǎn)接墊與第一電性接觸墊之間的線路，而該線路層的下側(cè)包含有多個植球墊，該轉(zhuǎn)接墊、第一電性接觸墊、線路外露于該絕緣保護(hù)層的上側(cè)，而該植球墊外露于該絕緣保護(hù)層的下側(cè)；
覆蓋絕緣層于該線路上；
形成導(dǎo)電層于該絕緣層上，且該導(dǎo)電層延伸至該轉(zhuǎn)接墊與第一電性接觸墊上；以及
設(shè)置半導(dǎo)體組件于該基板上，并以多條焊線電性連接該半導(dǎo)體組件及該轉(zhuǎn)接墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該基板還具有多個第二電性接觸墊，以供該半導(dǎo)體組件以該些焊線電性連接該第二電性接觸墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路相對凸出該基板表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該轉(zhuǎn)接墊、導(dǎo)電層與第一電性接觸墊成為導(dǎo)電路徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該轉(zhuǎn)接墊、線路與第一電性接觸墊上形成有表面處理層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該絕緣層為膠體。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該絕緣層的形成以噴墨或涂布方式為之。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該導(dǎo)電層為金屬層經(jīng)由噴墨或網(wǎng)印方式形成或?yàn)槟z體經(jīng)由涂布、點(diǎn)膠或噴墨方式形成的導(dǎo)電跡線。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成封裝膠體于該基板上，以包覆該半導(dǎo)體組件、焊線、轉(zhuǎn)接墊、導(dǎo)電層與第一電性接觸墊。
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