[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201310114477.8 | 申請日: | 2013-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN103389605B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 石垣利昌;高橋文雄;栗山英樹 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | G02F1/1368 | 分類號: | G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 楊宏軍,馬立榮 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示裝置等顯示裝置,特別涉及能夠通過使在基板的像素電路部分中的有機膜形成的接觸孔的直徑減小來提高透射率的顯示裝置。
背景技術
在顯示裝置例如液晶顯示裝置等中,設置呈矩陣狀形成有像素電極以及薄膜晶體管(TFT:Thin?Film?Transistor)等的陣列基板(或稱為TFT基板)、和與該陣列基板相對并在與陣列基板的像素電極對應的位置形成有濾色器等的對置基板,在陣列基板與對置基板之間夾持有液晶。并且,通過按每個像素控制液晶分子對光的透射率來形成圖像。
近年來,在液晶顯示裝置中,如“專利文獻1”的記載,已知提高像素部的開口率的嘗試。“專利文獻1”所公開的液晶顯示裝置,在為了連接薄膜晶體管與像素電極而形成的接觸孔,具有填埋形成像素電極所產生的凹部的填埋部。由此,可抑制有機鈍化膜的接觸孔部的液晶分子的取向混亂,不會使液晶顯示裝置的像素部的開口率下降,防止了漏光。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平9-304793號公報
發明內容
發明要解決的問題
然而,在上述那樣的液晶顯示裝置中,存在為了填埋凹部而必須增加光刻或各向異性蝕刻的工序的問題。
鑒于上述問題,本發明的目的在于,在具有為了連接薄膜晶體管與像素電極而形成的接觸孔的液晶顯示裝置那樣的顯示裝置中,不會使液晶顯示裝置那樣的顯示裝置的像素部的開口率下降地防止漏光,并且提高有機絕緣膜的生產率,提高接觸孔周圍的加工精度。
用于解決問題的手段
能夠從多個角度把握本發明,從一個角度獲得的代表性的本發明的液晶顯示裝置為如下所述。另外,從其他角度獲得的本發明的液晶顯示裝置,通過以下所述的實施發明的方式的說明等可以明確。
本申請所公開的發明中,若簡單說明代表性發明的概要,則如下述這樣。
(1)一種顯示裝置,具有陣列基板和與該陣列基板相對的對置基板,其特征在于,在陣列基板的像素內配置有TFT和突起,所述TFT的源電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸,覆蓋所述TFT和所述突起地形成無機鈍化膜,在所述TFT上的所述無機鈍化膜上形成有機鈍化膜,在所述有機鈍化膜上形成對置電極,覆蓋所述對置電極地形成上部絕緣膜,在所述上部絕緣膜上形成像素電極,所述像素電極在所述突起上經由在所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔與所述源電極導通。
(2)一種顯示裝置,具有陣列基板和與該陣列基板相對的對置基板,其特征在于,在陣列基板的驅動電路內配置有TFT和突起,所述TFT的源電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸,覆蓋所述TFT和所述突起地形成無機鈍化膜,在所述TFT上的所述無機鈍化膜上形成有機鈍化膜,覆蓋所述有機鈍化膜地形成上部絕緣膜,在所述上部絕緣膜上形成布線,所述布線在所述突起上經由在所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔而與所述源電極導通。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式涉及的顯示裝置的等效電路的電路圖。
圖2是表示一個像素電路的結構的一例的俯視圖。
圖3是實施例1的像素電路所包含的薄膜晶體管的剖面圖。
圖4A是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4B是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4C是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4D是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4E是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。。
圖4F是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4G是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖4H是表示圖3所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖5是表示3所示的薄膜晶體管的結構的俯視圖。
圖6是表示薄膜晶體管的比較例的剖面圖。
圖7A是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖7B是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖7C是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖7D是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖7E是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖7F是表示圖6所示的薄膜晶體管的制造工序的剖面圖。
圖8是表示圖6所示的薄膜晶體管的結構的俯視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日本顯示器,未經株式會社日本顯示器許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310114477.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





