[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310114477.8
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103389605B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 石垣利昌;高橋文雄;栗山英樹
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,馬立榮

1.一種顯示裝置，具有陣列基板和與該陣列基板相對的對置基板，其特征在于，

在陣列基板的像素內(nèi)配置有TFT和突起，

所述TFT的源電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸，

覆蓋所述TFT和所述突起地形成無機鈍化膜，

在所述TFT上的所述無機鈍化膜上形成有機鈍化膜，

在所述有機鈍化膜上形成對置電極，

覆蓋所述對置電極地形成上部絕緣膜，

在所述上部絕緣膜之上形成像素電極，

所述像素電極在所述突起上經(jīng)由在所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔而與所述源電極導通。

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻擋膜上，

所述TFT為如下結構：在所述阻擋膜上形成半導體層，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上與所述半導體層對應的部分形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜上與所述半導體層對應的部分隔開距離地形成漏電極和源電極，所述漏電極以及源電極經(jīng)由在所述層間絕緣膜以及所述柵極絕緣膜形成的通孔而與所述半導體層導通，

所述突起形成于從所述TFT延伸的層間絕緣膜上。

3.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在玻璃基板上形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成柵極絕緣膜，在所述柵電極的上方，在所述柵極絕緣膜上形成漏電極和源電極，

所述突起形成于從所述TFT延伸的所述柵極絕緣膜上，

所述像素電極在所述突起上經(jīng)由在所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔而與所述源電極導通。

4.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻擋膜上，

所述TFT為如下結構：在所述阻擋膜上形成漏電極和源電極，在所述阻擋膜以及所述漏電極和所述源電極上形成半導體層，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上與所述半導體層對應的部分形成柵電極，

所述像素電極在所述突起上經(jīng)由在所述柵極絕緣膜、所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔而與所述源電極導通，

所述突起直接形成于所述阻擋膜上。

5.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT和所述突起形成于在玻璃基板上形成的阻擋膜上，

所述TFT為如下結構：在所述阻擋層上形成半導體層，在所述半導體層上隔著間隔地形成漏電極和源電極，覆蓋所述半導體層地形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上在與所述半導體層對應的部分形成柵電極，

所述突起直接形成于所述阻擋膜上。

6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述TFT為如下結構：在玻璃基板上形成柵電極，覆蓋所述柵電極地形成柵極絕緣膜，在所述柵電極的上方，在所述柵極絕緣膜上形成漏電極和源電極，在所述柵電極的上方覆蓋所述柵極絕緣膜以及所述漏電極的一部分和所述源電極的一部分地形成半導體層。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的顯示裝置，其特征在于，所述突起由有機材料形成。

8.根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，

所述突起為圓錐臺或棱錐臺。

9.根據(jù)權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述突起的上表面不存在所述有機鈍化膜。

10.一種顯示裝置，具有陣列基板和與該陣列基板相對的對置基板，其特征在于，

在陣列基板的驅(qū)動電路內(nèi)配置有TFT和突起，

所述TFT的源電極以至少覆蓋所述突起的一部分的方式延伸，

覆蓋所述TFT和所述突起地形成無機鈍化膜，

在所述TFT上的所述無機鈍化膜上形成有機鈍化膜，

覆蓋所述有機鈍化膜地形成上部絕緣膜，

在所述上部絕緣膜上形成布線，

所述布線在所述突起上經(jīng)由在所述無機鈍化膜以及所述上部絕緣膜形成的連接孔而與所述源電極導通。