[發(fā)明專利]有效控制過刻蝕量的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310113918.2
• 申請(qǐng)日: 2013-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN104103537A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡敏達(dá);張城龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/311;H01L23/544
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于，所述有效控制過刻蝕量的方法至少包括以下步驟：

S1：提供一測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)自下而上依次包括襯底、刻蝕停止層、層間介質(zhì)層及硬掩模；所述刻蝕停止層的厚度與待刻蝕器件中對(duì)應(yīng)的刻蝕停止層的厚度相同；

S2：在所述硬掩模上形成預(yù)設(shè)刻蝕圖案，然后采用預(yù)設(shè)刻蝕條件對(duì)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中形成若干用于互連的盲孔；

S3：測(cè)試刻蝕后的測(cè)試結(jié)構(gòu)的縱截面形貌，若所述盲孔的下表面低于所述刻蝕停止層的下表面，且所述盲孔的下表面與所述刻蝕停止層下表面的之間的距離小于或等于預(yù)設(shè)過刻蝕量，則采用所述預(yù)設(shè)刻蝕條件對(duì)待刻蝕器件進(jìn)行刻蝕，若不滿足，則進(jìn)入步驟S4；

S4：調(diào)節(jié)所述預(yù)設(shè)刻蝕條件中的參數(shù)，并重復(fù)步驟S1~S3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：所述測(cè)試結(jié)構(gòu)中的刻蝕停止層與所述待刻蝕器件中對(duì)應(yīng)的刻蝕停止層的制備工藝相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：于所述步驟S3中，采用掃描電子顯微鏡或透射電子顯微鏡測(cè)試刻蝕后的測(cè)試結(jié)構(gòu)的縱截面形貌。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：于所述步驟S4中，所述預(yù)設(shè)刻蝕條件中的參數(shù)包括刻蝕時(shí)間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：所述刻蝕為等離子體刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：所述層間介質(zhì)的材料為低k介質(zhì)或超低k介質(zhì)，所述低k介質(zhì)滿足k<3，所述超低k介質(zhì)滿足k<2.5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：所述襯底的材料為低k介質(zhì)或超低k介質(zhì)，所述低k介質(zhì)滿足k<3，所述超低k介質(zhì)滿足k<2.5。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效控制過刻蝕量的方法，其特征在于：所述刻蝕停止層的厚度范圍是200~400埃。