[發明專利]電熔絲結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310113259.2
• 申請日: 2013-04-02
• 公開（公告）號: CN104103623A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 甘正浩;徐依協;朱志煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電熔絲結構，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的第一導電層，覆蓋所述第一導電層和基底的層間介質層，位于所述第一導電層表面且貫穿層間介質層的第一導電插塞，位于所述第一導電插塞和層間介質層表面的第二導電層，其中，所述第一導電層與第一導電插塞的底部表面部分接觸或者所述第二導電層與第一導電插塞的頂部表面部分接觸。

2.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第一導電插塞與第一導電層或第二導電層部分接觸時的接觸面積占所述第一導電插塞的橫截面積的30%～70%。

3.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，與第一導電插塞部分接觸的第一導電層或第二導電層的接觸部位具有長方形開口，所述長方形開口的寬度小于第一導電插塞的直徑。

4.如權利要求3所述的電熔絲結構，其特征在于，所述長方形開口的長度大于或等于第一導電插塞的直徑。

5.如權利要求3所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第一導電插塞同時與開口兩側的第一導電層或第二導電層相接觸。

6.如權利要求3所述的電熔絲結構，其特征在于，與第一導電插塞部分接觸的第一導電層或第二導電層的接觸部位的形狀為叉形，所述叉形的第一導電層或第二導電層與第一導電插塞部分接觸的一端至少包括兩個叉齒，所述第一導電插塞同時與所述開口兩側的叉齒相接觸。

7.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，與第一導電插塞部分接觸的第一導電層或第二導電層的接觸部位具有開口，所述開口完全位于第一導電插塞的頂部表面。

8.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，還包括，位于所述第一導電層表面且貫穿層間介質層的第二導電插塞，位于所述第二導電插塞和層間介質層表面的第三導電層，所述第一導電層與第二導電插塞的底部表面完全接觸且所述第三導電層與第二導電插塞的頂部表面完全接觸。

9.如權利要求8所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第二導電插塞的數量大于所述第一導電插塞的數量。

10.如權利要求8所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第二導電插塞的直徑大于所述第一導電插塞的直徑。

11.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，當所述第一導電層與第一導電插塞的部分底部表面接觸，所述第二導電層與第一導電插塞的頂部表面完全接觸。

12.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，當所述第二導電層與第一導電插塞的部分頂部表面接觸，所述第一導電層與第一導電插塞的底部表面完全接觸。

13.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第一導電層為摻雜有雜質離子的襯底、金屬硅化物層、金屬柵電極或金屬互連層。

14.如權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，所述第二導電層為金屬互連層。

15.一種電熔絲結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底表面形成第一導電層；

在所述第一導電層和基底表面形成層間介質層；

形成貫穿所述層間介質層的第一導電插塞，且所述第一導電插塞位于第一導電層的表面；

在所述第一導電插塞和第一導電層表面形成第二導電層，且所述第一導電層與第一導電插塞的底部表面部分接觸或者所述第二導電層與第一導電插塞的頂部表面部分接觸。

16.如權利要求15所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，還包括：

形成貫穿所述層間介質層的第二導電插塞，且所述第二導電插塞位于第一導電層的表面；

在所述第二導電插塞和層間介質層表面形成第三導電層，所述第一導電層與第二導電插塞的底部表面完全接觸且所述第三導電層與第二導電插塞的頂部表面完全接觸。

17.如權利要求16所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述第一導電插塞和第二導電插塞采用同一形成工藝形成，所述第二導電層和第三導電層采用同一形成工藝形成。

18.如權利要求15所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，與第一導電插塞部分接觸的第一導電層或第二導電層的接觸部位具有長方形開口，所述長方形開口的寬度小于第一導電插塞的直徑，且所述第一導電插塞同時與開口兩側的第一導電層或第二導電層相接觸。