[發(fā)明專利]一種鉻掩膜版透明缺陷激光透射微修補的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310110332.0
• 申請日: 2013-04-01
• 公開（公告）號: CN103233217A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳繼民;王敏;黃超
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C23C24/08
• 分類號: C23C24/08;C23C24/10
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基于鉻掩膜版微透明缺陷進行修補的方法，該方法采用納米鉻粉作為修復(fù)材料可以在有微透明缺陷鉻掩膜版上淀積一層面積和尺寸可控的薄膜，從而達到修復(fù)的目的，屬于微加工領(lǐng)域。

背景技術(shù)

激光化學(xué)氣相沉積（LCVD）技術(shù)（文獻1，黃河,朱曉,朱長虹等，激光化學(xué)氣相沉積技術(shù)在掩模版修復(fù)中的應(yīng)用，激光技術(shù)，Vol31No.3，June,2007，330-332），其基本原理在于以氣態(tài)或固態(tài)出現(xiàn)在透明缺陷上或附近的金屬有機化合物分子，在激光的作用下熱離解或光離解，使金屬沉積在掩膜缺陷處，在該處達到一定的光密度，達到修補目的。

聚焦離子束技術(shù)修補(FIB)技術(shù)（文獻2，Yasutoshi?Itou,Yoshiyuki?Tanaka,Nobuyuki?Yoshioka,Advanced?Photomask?Repair?Technology?for65nm?Lithography,In:Wolfgang?Staud,J.Tracy?Weed,24th?Annual?BACUS?Symposiμm?on?PhotomaskTechnology,Proceedings?of?SPIE?Vol.5567,SPIE,Bellingham,WA,2004:1132～1142），其原理是利用高能離子束與輔助氣體作用產(chǎn)生淀積的功能，在缺少鉻的缺陷掩膜區(qū)淀積上鉻膜，修復(fù)掩膜圖形的完整性。

高能電子束（EB）技術(shù)（文獻2），其原理是利用高能電子束與輔助氣體作用產(chǎn)生淀積的功能，從而在缺少鉻的缺陷掩膜區(qū)淀積上鉻膜。

另外還有各種技術(shù)結(jié)合起來的，如聚焦離子束-化學(xué)氣相沉積（FIB-CVD）技術(shù)（文獻3，Yasutoshi?Itou,Yoshiyuki?Tanaka,Nobuyuki?Yoshioka，F(xiàn)IB?mask?repair?technology?for?EUV?mask，In:Photomask?and?Next-Generation?Lithography?Mask?Technology,Proc.of?SPIE?Vol.7379,2009:73792L-1-73792L-9）和電子束化學(xué)誘導(dǎo)（EBIC）技術(shù)(文獻4，Anthony?Garetto,Jens?Oster,Markus?Waiblinger,Klaus?Edinger，Challenging?defect?repair?techniques?for?maximizing?mask?repair?yield，In：Photomask?Technology2009，Proc.of?SPIE?Vol.7488,2009：74880H-1-74880H-2)。

對于激光化學(xué)氣相沉積（LCVD）技術(shù)對于鉻掩膜版透明缺陷修復(fù)所采用的物質(zhì)基本都是有劇毒且易揮發(fā)的金屬有機化合物，如Cr(CO)6等。而聚焦離子束技術(shù)修補(FIB)技術(shù)和高能電子束（EB）技術(shù)以及上述的各種組合技術(shù)對于掩膜版透明缺陷雖然能夠達到很好的效果，但其高昂的設(shè)備費用、嚴格的修復(fù)環(huán)境以及較低的修補效率很大程度上限制了其應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于目前國內(nèi)掩膜版微透明缺陷修補技術(shù)的缺乏，并且對于有一定不足之處的激光化學(xué)氣相沉積（LCVD）技術(shù)也只是停留在實驗研究階段的前提下，提出了一種鉻掩膜版微透明缺陷激光透射修補的方法。

一種鉻掩膜版微透明缺陷激光透射微修補的方法，其特征在于：采用納米級鉻粉作為實驗材料，利用紫外激光采用透射制備薄膜技術(shù)在有微透明缺陷的鉻掩膜版上淀積一層薄膜，從而達到微修補的目的。

進一步，將納米級鉻粉置于有微透明缺陷的鉻掩膜版與基板之間并壓緊置于加工平臺上，利用紫外激光透過鉻掩膜版有微透明缺陷的部位聚焦在鉻粉上表面，調(diào)整激光重復(fù)頻率，激光重復(fù)頻率范圍為8000～15000；開啟激光器，當激光作用1.5s以上或以0.005mm/s以上的掃描速度進行掃描后停止操作，激光照射處的鉻粉會汽化、熔化或發(fā)生反應(yīng)，從而在鉻掩膜版有微透明缺陷的部位淀積一層良好的薄膜，達到直徑50μm以上的圓形缺陷或線寬35μm以上的微透明缺陷的修復(fù)目的。

所述的加工平臺、鉻粉和鉻掩膜版置于空氣中或真空中或惰性保護氣氛中。

進一步，所述的激光器為355nm的全固態(tài)三倍頻激光器

本發(fā)明采用納米級的鉻粉作為修復(fù)材料，通過355nm紫外激光透射過有微透明缺陷的鉻掩膜版聚焦于其下方的鉻粉，然后通過對激光參數(shù)的控制，使激光聚焦處的鉻粉汽化、熔化以及發(fā)生反應(yīng)，從而在有微透明缺陷的地方淀積上一層薄膜。