[發明專利]用于電子器件或其它制品上的涂層的雜化層

有效

• 申請號: 201310110156.0
• 申請日: 2007-10-31
• 公開（公告）號: CN103187455B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: S·瓦格納;P·曼德克里克
• 申請（專利權）人: 普林斯頓大學理事會
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L51/52;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/02;C23C30/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 李躍龍

本申請是申請日為2007年10月31日，題目為“用于電子器件或其它制品上的涂層的雜化層”的中國專利申請200780045610.1的分案申請。

本申請是美國申請No.11/783,361（2007年4月9日提交）的部分繼續申請，其要求美國臨時申請No.60/856,047（2006年11月1日提交）的優先權。通過引用將這兩個申請的全部內容并入本文。

本發明是借助美國政府支持在陸軍研究室(Army Research Office)授予的合同No.W911QX-06-C-0017下完成的。美國政府在本發明中可享有一定的權利。

所要求保護的本發明是由達成聯合大學公司研究協議的一個或多個下列合作方完成的，代表其利益和/或與其有關：Princeton University,The University of Southern California，和Universal Display Corporation。在要求保護的發明完成之日或之前該協議生效，且作為在該協議范圍內進行活動的結果完成所要求保護的發明。

技術領域

本發明涉及用于電子器件的阻擋涂層。

背景技術

有機電子器件例如有機發光器件(OLED)在暴露于水蒸氣或氧時易于劣化。OLED上減少其對水蒸氣或氧的暴露的保護性阻擋涂層可有助于改善器件的壽命和性能。已考慮將成功用于食品包裝的氧化硅膜、氮化硅膜或氧化鋁膜用作OLED的阻擋涂層。然而，這些無機膜傾向于含有微觀缺陷，這些微觀缺陷允許水蒸氣和氧擴散通過該膜。在一些情形中，所述缺陷在脆性膜中顯現為裂紋。雖然這種水和氧擴散水平對于食用產品也許是可接受的，但其對于OLED是不可接受的。為解決這些問題，在OLED上對使用交替的無機層和聚合物層的多層阻擋涂層進行了測試，發現對水蒸氣和氧的滲透具有改善的抵抗性。但這些多層涂層具有關于復雜性和費用的缺點。因此，存在對形成適用于保護OLED的阻擋涂層的其它方法的需要。

概述

在一方面，本發明提供了在表面上形成涂層的方法，包括：提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應位置；和使用該前體材料源通過化學氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內，且其中聚合物材料和非聚合物材料產生自相同的前體材料源。

在另一方面，本發明提供了在表面上形成多層涂層的方法，包括：提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應位置；和使用該前體材料源通過化學氣相沉積在該表面上沉積多個雜化層，其中各個雜化層獨立地包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內，且其中聚合物材料和非聚合物材料產生自相同的前體材料源。

在另一方面，本發明提供了形成如下涂層的方法，所述涂層與其上沉積該涂層的表面具有改善的界面結合，該方法包括：提供具有表面的襯底；預處理待涂覆的表面；提供前體材料源；將前體材料輸送到與預處理表面鄰接的反應位置；和使用該前體材料源通過化學氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內，且其中聚合物材料和非聚合物材料產生自相同的前體材料源。

在另一方面，本發明提供了保護電子器件的方法，所述電子器件設置在充當該電子器件的基底的表面上，包括：在電子器件上形成涂層，包括以下步驟：(a)提供前體材料源；(b)將前體材料輸送到與待涂覆電子器件鄰接的反應位置；和(c)使用該前體材料源通過化學氣相沉積在該電子器件上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內，且其中聚合物材料和非聚合物材料產生自相同的前體材料源。

在又一方面，本發明提供了控制表面上形成的涂層性能的方法，包括：提供前體材料源；將前體材料輸送到與待涂覆表面鄰接的反應位置；使用該前體材料源通過化學氣相沉積在該表面上沉積雜化層，其中該雜化層包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物，其中聚合物材料與非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范圍內，且其中聚合物材料和非聚合物材料產生自相同的前體材料源；和控制沉積該雜化層所處的條件。

附圖簡述

圖1顯示了可用于實施本發明某些實施方案的PE-CVD設備的示意圖。

圖2顯示了根據一個實施方案的雜化層的光學透射譜。