[發(fā)明專利]用于電子器件或其它制品上的涂層的雜化層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310110156.0
• 申請(qǐng)日: 2007-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN103187455B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·瓦格納;P·曼德克里克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普林斯頓大學(xué)理事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L51/52;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/02;C23C30/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 李躍龍

1.一種設(shè)置在基底表面上的有機(jī)電子器件，其中該器件包括：

設(shè)置在基底上的OLED本體；和

設(shè)置在OLED本體上的雜化層，該雜化層基本由聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物構(gòu)成，其中對(duì)于0.1-10μm的雜化層厚度，聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物處于單一相。

2.權(quán)利要求1的器件，其中對(duì)于和的雜化層厚度，聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物處于單一相。

3.權(quán)利要求1的器件，其中通過雜化層的水蒸氣透過率小于10^-6g/m²/天。

4.權(quán)利要求1的器件，其中雜化層對(duì)水蒸氣和氧具有足夠的不可滲透性，使得器件在65℃和85％相對(duì)濕度下具有大于1000小時(shí)的工作壽命。

5.權(quán)利要求1的器件，其中至少部分雜化層延伸越過OLED本體的邊緣并延伸至基底。

6.權(quán)利要求5的器件，還包含置于基底表面和雜化層之間的中介層，中介層包含用于增加基底表面和雜化層之間的界面結(jié)合的材料。

7.權(quán)利要求6的器件，其中中介層包含無機(jī)材料。

8.權(quán)利要求7的器件，其中無機(jī)材料是鉻或氮化硅。

9.權(quán)利要求6的器件，其中中介層是基底的表面處理。

10.權(quán)利要求1的器件，其中通過前體材料的等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積形成雜化層，且其中聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料產(chǎn)生自相同的前體材料源。

11.權(quán)利要求5的器件，其中雜化層完全覆蓋OLED本體。

12.權(quán)利要求5的器件，還包括在與OLED本體周緣鄰接的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域處的邊緣阻擋體。

13.權(quán)利要求12的器件，其中邊緣阻擋體包含在與OLED本體周緣鄰接的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域處的基底表面中的一個(gè)或多個(gè)不連續(xù)體。

14.權(quán)利要求13的器件，其中不連續(xù)體通過刻蝕基底表面而形成。

15.權(quán)利要求13的器件，其中不連續(xù)體延伸穿過基底表面的全厚度。

16.權(quán)利要求12的器件，其中邊緣阻擋體包含圍繞OLED本體邊緣的封頭。

17.權(quán)利要求12的器件，其中邊緣阻擋體包括雜化層和基底表面之間的粘接結(jié)合部。

18.權(quán)利要求1的器件，包含含硅化合物的非聚合物材料是氧化硅。

19.權(quán)利要求1的器件，其中基底是襯底。

20.權(quán)利要求1的器件，還包括襯底，其中基底是襯底上的平坦化亞層。

21.權(quán)利要求20的器件，其中平坦化亞層包含形成平滑表面的聚合物平坦化材料。

22.權(quán)利要求21的器件，其中OLED本體被雜化層和平坦化亞層所封裝。

23.權(quán)利要求20的器件，其中附著促進(jìn)亞層置于平坦化亞層上。

24.權(quán)利要求1的器件，包括多個(gè)雜化層，各個(gè)雜化層獨(dú)立地基本由聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物組成，其中對(duì)于0.1-10μm的雜化層厚度，各雜化層的聚合有機(jī)硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物處于單一相。

25.權(quán)利要求24的器件，其中通過多個(gè)雜化層的水蒸氣透過率小于10^-6g/m²/天。

26.權(quán)利要求2的器件，其中通過雜化層的水蒸氣透過率小于10^-6g/m²/天。