[發明專利]透明導電體及其制備方法有效
| 申請號: | 201310109660.9 | 申請日: | 2013-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN103413593A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 唐根初;董繩財;劉偉;唐彬 | 申請(專利權)人: | 深圳歐菲光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;G06F3/044;G06F3/041 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 518106 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及觸控技術領域,特別是涉及一種透明導電體及其制備方法。
背景技術
觸摸屏是可接收觸摸燈輸入信號的感應式裝置。觸摸屏賦予了信息交互嶄新的面貌,是極富吸引力的全新信息交互設備。觸摸屏技術的發展引起了國內外信息傳媒界的普遍關注,已成為光電行業異軍突起的朝陽高新技術產業。
目前,氧化銦錫(ITO)層是觸摸屏中至關重要的透明導電體。雖然觸摸屏的制造技術一日千里的飛速發展著。但是以投射式電容屏為例,ITO層的基礎制造流程近年來并未發生太大的改變。總是不可避免的需要ITO鍍膜及ITO圖形化。傳統的ITO層的制備一般是采用單片式觸控技術(OGS)在玻璃上鍍ITO,經蝕刻后得到所需X、Y方向的感應線路,最后采用鉬鋁鉬(MoAlMo)或者ITO進行搭橋。這種傳統的制作流程復雜且冗長,因此良率控制就成了現階段觸摸屏制造領域難以回避的難題,并且這種制作方式還不可避免的需要用到刻蝕工藝,大量的ITO材料會被浪費,制備成本較高,從而導致觸摸屏的價格較高。
目前,有研究采用金屬網格線替換ITO。金屬網格線的價格雖然較低,但金屬網格線不透光,使得觸摸屏整體的光性能不佳,難以滿足應用需求。
發明內容
基于此,有必要提供一種價格較低、透光率較高的透明導電體。
進一步,提供一種透明導電體的制備方法。
一種透明導電體,包括
透明基板;
第一介質層,層疊于所述透明基板上;
第一導電層,嵌設于所述第一介質層中;
第二介質層,層疊于所述第一介質層上;
第二導電層,嵌設于所述第二介質層中;
其中,所述第一導電層與第二導電層相互絕緣,所述第一導電層及第二導電層均由金屬網格形成,所述第一導電層及第二導電層中,金屬網格的線寬為0.2微米~5微米,相鄰兩條金屬網格線之間的距離為50微米~500微米。
在其中一個實施例中,所述第一導電層和第二導電層的金屬網格重疊。
在其中一個實施例中,所述金屬網格由多個網格單元構成,所述網格單元為正方形、菱形、正六邊形、長方形或隨機網格形狀。
在其中一個實施例中,所述第一導電層的金屬網格的線寬與所述第二導電層的金屬網格的線寬不等,且所述第一導電層的金屬網格線的中心線與所述第二導電層的金屬網格線的中心線重合。
在其中一個實施例中,所述第一導電層的金屬網格的線寬與所述第二導電層的金屬網格的線寬不等,所述第二導電層的相鄰兩條金屬網格線的距離為所述第一導電層的相鄰兩條金屬網格線的距離的整數倍。
在其中一個實施例中,所述第二導電層的沿第一軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離為所述第一導電層的沿第一軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離的整數倍。
在其中一個實施例中,所述第二導電層的沿第二軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離為所述第一導電層的沿第二軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離的整數倍。
在其中一個實施例中,所述第二導電層的沿第一軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離為所述第一導電層的沿第一軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離的整數倍,所述第二導電層的沿第二軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離為所述第一導電層的沿第二軸向的相鄰兩條金屬網格線的距離的整數倍。
在其中一個實施例中,所述第一介質層和第二介質層的厚度為1微米~10微米,所述第一介質層遠離所述透明基板的一側開設有第一網格凹槽,所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側開設有第二網格凹槽,所述第一導電層及第二導電層分別收容于所述第一網格凹槽及第二網格凹槽中,且所述第一導電層的厚度不大于所述第一網格凹槽的深度,所述第二導電層的厚度不大于所述第二網格凹槽的深度。
一種透明導電體的制備方法,包括如下步驟:
提供透明基板,在所述透明基板上涂布介質材料,固化后形成層疊于所述透明基板上的第一介質層;
用第一壓印模板在所述第一介質層上壓印形成第一網格凹槽;
向所述第一網格凹槽中填充金屬材料,固化后形成嵌設于所述第一介質層中的第一導電層;
在所述第一介質層遠離透明基板的表面上涂布介質材料,固化后形成層疊于所述第一介質層上的第二介質層;
用第二壓印模板在所述第二介質層上壓印形成第二網格凹槽;及
向所述第二網格凹槽中填充金屬材料,固化后形成嵌設于所述第二介質層中的第二導電層,得到透明導電體;其中,所述第一導電層及第二導電層中,金屬網格的線寬為0.2微米~5微米,相鄰兩條金屬網格線之間的距離為50微米~500微米。
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