[發明專利]用于處理基板的裝置有效
| 申請號: | 201310109335.2 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103367207B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 盧煥益 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 楊生平,鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
處理容器,其提供清洗基板的空間;
基板支撐元件,其被包括在所述空間中并且支撐所述基板;
噴射元件,其選擇性地在位于所述基板支撐元件上的基板上噴射多種流體;
其中所述處理容器包括:
多個回收容器,其入口在上下方向上堆疊以在所述空間內接收流體;
第一提升元件,其在上下方向上移動所述多個回收容器;和
第二提升元件,其在上下方向上相對于剩余的回收容器相對地移動所述多個回收容器的一部分。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中所述多個回收容器包括:
一個或多個固定回收容器,其被設置的使得到框架的相對位置是固定的;和
一個或多個轉移回收容器,其被設置的使得到所述固定回收容器的相對位置在上下方向上移動,并且
其中所述第一提升元件與所述框架耦接并且所述第二提升元件與所述轉移回收容器耦接。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其中所述轉移回收容器的入口在高度上高于所述固定回收容器的入口。
4.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其中所述一個或多個固定回收容器的數量是3個,并且所述一個或多個轉移回收容器的數量是1個。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其中所述回收容器分別與排放管線相連。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中所述第一提升元件和第二提升元件中的每一個被形成為氣缸,并且所述第二提升元件被固定到所述第一提升元件。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其中所述第一提升元件包括:
第一主體;
設置在所述第一主體上并與所述框架耦接的第一連接板;和
被設置以在所述第一主體內上下移動并與所述第一連接板耦接的第一氣缸負載。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其中所述第二提升元件包括:
固定到所述第一連接板的第二主體;
設置在第二主體上并與所述轉移回收容器耦接的第二連接板;和
從所述第一氣缸負載的內部向上延伸到所述第二主體的內部并被設置為在所述第一氣缸和所述第二主體內上下移動的第二氣缸負載。
9.一種基板清潔方法,包括:
將基板設置在基板支撐元件上;
在基板上提供化學物;
在基板上提供清潔液;以及
在基板上提供用于干燥的流體,
其中通過轉移回收容器回收所述用于干燥的流體,并且通過固定回收容器回收所述化學物。
10.根據權利要求9所述的基板清潔方法,其中在基板上提供用于干燥的流體時,打開所述轉移回收容器的入口,并且在基板上提供化學物時,關閉所述轉移回收容器的入口。
11.根據權利要求9所述的基板清潔方法,其中在打開所述轉移回收容器的入口時,打開所述固定回收容器的入口。
12.根據權利要求9所述的基板清潔方法,其中提供多個所述固定回收容器,并且化學物中產生相對大量煙氣的化學物通過具有在最下部位置處布置的入口的固定回收容器被回收。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





