[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310109329.7 | 申請日： | 2013-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN103367283B | 公開（公告）日： | 2018-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭震源;李垣哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 屈玉華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
基板，具有由側(cè)壁部分地限定的凹陷，所述基板具有頂表面；
器件隔離層，提供在所述凹陷中，所述器件隔離層具有比所述基板的頂表面低的頂表面；
存儲器元件，設(shè)置在所述基板上；
一個或多個第一接觸，電連接到所述存儲器元件；以及
隔離圖案，設(shè)置在所述器件隔離層上并布置在相鄰的所述第一接觸之間，所述隔離圖案與相鄰的所述第一接觸直接物理接觸，
其中所述第一接觸中的至少一個與所述基板的頂表面接觸并覆蓋所述凹陷的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括層間絕緣層，其中所述第一接觸中的至少一個的基本整個側(cè)表面與相對于所述層間絕緣層具有蝕刻選擇性的絕緣層接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣層包括氮化物。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一接觸中的至少一個包括接觸焊盤，并且其中所述隔離圖案的頂表面基本上與所述接觸焊盤的頂表面共平面。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離圖案的底表面低于所述基板的頂表面。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括，
字線覆蓋層圖案，鄰近所述第一接觸中的至少一個；和
字線，在所述字線覆蓋層圖案下面沿第一方向延伸。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述字線提供在所述基板中。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一接觸中的至少一個包括接觸焊盤，并且其中所述字線覆蓋層圖案的頂表面基本上與所述接觸焊盤的頂表面共平面。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離圖案具有沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的條形。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離圖案的底表面高于所述字線覆蓋層圖案的底表面。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離圖案將所述字線覆蓋層圖案的頂表面分成多個部分。
12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括，
第二接觸，提供在所述第一接觸的一側(cè)；和
間隔物，插設(shè)在所述第一接觸與所述第二接觸之間。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二接觸的底表面低于所述器件隔離層的頂表面。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括，
導(dǎo)線，在所述第二接觸上沿所述第一方向延伸，
其中所述導(dǎo)線具有與所述隔離圖案基本上相同的寬度并在平面圖中與所述隔離圖案交疊。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括，
第一摻雜區(qū)，提供在所述基板中并連接到所述第一接觸；和
第二摻雜區(qū)，提供在所述基板中并連接到所述第二接觸，
其中所述第二摻雜區(qū)具有比所述第一摻雜區(qū)大的深度。
16.一種半導(dǎo)體器件，包括：
基板，具有單元陣列區(qū)、單元邊緣區(qū)和周邊電路區(qū)，所述基板具有由側(cè)壁部分地限定的凹陷；
器件隔離層，提供在所述凹陷中，所述器件隔離層具有比所述基板的頂表面低的頂表面；
多條字線，提供在所述基板中，柵絕緣層插設(shè)在所述字線與基板之間，所述字線沿第一方向延伸；
字線覆蓋層圖案，分別設(shè)置在所述字線上，所述字線覆蓋層圖案從所述基板的頂表面向上突出；
存儲節(jié)點焊盤，設(shè)置在所述字線覆蓋層圖案之間以與所述基板的頂表面接觸并形成得覆蓋所述凹陷的側(cè)壁；
隔離圖案，設(shè)置在相鄰的所述存儲節(jié)點焊盤之間以及在所述字線覆蓋層圖案之間；以及
虛設(shè)位線節(jié)點接觸和虛設(shè)隔離圖案，在所述單元邊緣區(qū)中彼此鄰近設(shè)置，
其中所述隔離圖案與相鄰的所述存儲節(jié)點焊盤直接物理接觸。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，還包括，
位線節(jié)點接觸，提供在所述單元陣列區(qū)中，所述位線節(jié)點接觸連接到所述字線之間的所述基板并與所述隔離圖案間隔開；以及
多條位線，在所述位線節(jié)點接觸上彼此基本平行地提供，
其中一個虛設(shè)隔離圖案與所述位線中的至少兩條相鄰的位線共同地交疊。
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