[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310109329.7
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN103367283B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭震源;李垣哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 屈玉華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

小型多功能和/或低成本的半導(dǎo)體器件在電子產(chǎn)業(yè)中存在極大的需求，用于制造流行的消費(fèi)電子設(shè)備諸如智能手機(jī)。期望更高集成度的半導(dǎo)體器件以滿足對高性能而不昂貴的電子裝置的消費(fèi)需求。在半導(dǎo)體存儲器件的情形下，特別期望增大的集成度，因為它們的集成度是決定產(chǎn)品價格的重要因素。然而，增大圖案精細(xì)度所需的極其昂貴的工藝設(shè)備對半導(dǎo)體存儲器件的更高集成度設(shè)定了實(shí)際的限制。為了克服這樣的障礙，已經(jīng)對發(fā)展用于增大半導(dǎo)體存儲器件的集成密度的新技術(shù)進(jìn)行了各種研究。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供具有減小的接觸電阻和改善的可靠性的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例提供一種制造高集成的半導(dǎo)體器件的方法，其能夠防止掩模未對準(zhǔn)或接觸焊盤橋接的發(fā)生。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：基板；器件隔離層，提供在基板中以具有比基板的頂表面低的頂表面；存儲器元件，設(shè)置在基板上；以及第一接觸，電連接到存儲器元件以與基板的頂表面和側(cè)表面接觸。

在示例實(shí)施例中，第一接觸的整個側(cè)表面可以與硅氮化物層接觸。

在示例實(shí)施例中，第一接觸的數(shù)目可以為兩個或更多，所述器件還可以包括提供在相鄰的第一接觸之間的隔離圖案。

在示例實(shí)施例中，隔離圖案的頂表面可以與第一接觸的頂表面基本上共平面。

在示例實(shí)施例中，隔離圖案的底表面可以低于基板的頂表面。

在示例實(shí)施例中，所述器件還可以包括鄰近第一接觸的字線覆蓋層圖案以及在字線覆蓋層圖案下面沿第一方向延伸的字線。

在示例實(shí)施例中，字線可以提供在基板中。

在示例實(shí)施例中，字線覆蓋層圖案的頂表面可以與第一接觸的頂表面基本上共平面。

在示例實(shí)施例中，隔離圖案具有沿與第一方向交叉的第二方向延伸的條形。

在示例實(shí)施例中，隔離圖案的底表面可以高于字線覆蓋層圖案的底表面。

在示例實(shí)施例中，隔離圖案將字線覆蓋層圖案的頂表面分成多個部分。

在示例實(shí)施例中，所述器件還可以包括提供在第一接觸的一側(cè)的第二接觸以及插設(shè)在第一接觸與第二接觸之間的間隔物。間隔物也可以稱為分隔壁。

在示例實(shí)施例中，第二接觸的底表面可以低于器件隔離層的頂表面。

在示例實(shí)施例中，所述器件還可以包括提供在第一接觸的另一側(cè)的隔離圖案（或分隔壁）以及在第二接觸上沿第一方向延伸的導(dǎo)線。導(dǎo)線可以具有與隔離圖案相同的寬度并在平面圖中交疊隔離圖案。

在示例實(shí)施例中，所述器件還可以包括提供在基板中且連接到第一接觸的第一摻雜區(qū)以及提供在基板中且連接到第二接觸的第二摻雜區(qū)。第二摻雜區(qū)具有比第一摻雜區(qū)更大的深度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：多條字線，提供在基板中以沿第一方向延伸，柵絕緣層插設(shè)在字線與基板之間；字線覆蓋層圖案，分別設(shè)置在字線上以從基板的頂表面向上突出；存儲節(jié)點(diǎn)焊盤，設(shè)置在字線覆蓋層圖案上以與基板接觸；以及隔離圖案，設(shè)置在存儲節(jié)點(diǎn)焊盤之間以及在字線覆蓋層圖案之間。

在示例實(shí)施例中，存儲節(jié)點(diǎn)焊盤、隔離圖案和字線覆蓋層圖案可以具有基本上彼此共平面的頂表面。

在示例實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件還可以包括在基板中以限定有源區(qū)的器件隔離層。隔離圖案可以與器件隔離層接觸，器件隔離層的頂表面低于基板的頂表面且高于隔離圖案的底表面。

在示例實(shí)施例中，基板的側(cè)壁可以被器件隔離層暴露，存儲節(jié)點(diǎn)焊盤可以延伸以覆蓋形成在基板中的凹陷的側(cè)壁的一部分和器件隔離層的頂表面。

在示例實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件還可以包括與字線之間的基板接觸并與隔離圖案間隔開的位線節(jié)點(diǎn)接觸，并且位線節(jié)點(diǎn)接觸的底表面可以低于器件隔離層的頂表面。

在示例實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件還可以包括插設(shè)在位線節(jié)點(diǎn)接觸與存儲節(jié)點(diǎn)焊盤之間的絕緣間隔物。

在示例實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件還可以包括設(shè)置在位線節(jié)點(diǎn)接觸上的位線。在平面圖中，位線可以與隔離圖案交疊。

在示例實(shí)施例中，該半導(dǎo)體器件還可以包括與存儲節(jié)點(diǎn)焊盤接觸的存儲節(jié)點(diǎn)接觸以及電連接到存儲節(jié)點(diǎn)接觸的存儲器元件。

在示例實(shí)施例中，基板可以包括單元陣列區(qū)、單元邊緣區(qū)以及周邊電路區(qū)，該半導(dǎo)體器件還可以包括虛設(shè)位線節(jié)點(diǎn)接觸和虛設(shè)隔離圖案，虛設(shè)位線節(jié)點(diǎn)接觸和虛設(shè)隔離圖案可以設(shè)置得在單元邊緣區(qū)中彼此相鄰。