[發明專利]一種附磷涂硼工藝無效
| 申請號： | 201310107237.5 | 申請日： | 2013-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN103227105A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 張倉生 | 申請（專利權）人： | 昆山東日半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22;H01L21/228 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;郭曉敏 |
| 地址： | 215332 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 附磷涂硼 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體生產工藝,特別是涉及一種用于半導體用硅晶片的附磷涂硼工藝。
背景技術
????在半導體領域的生產中，擴散工藝是晶體硅太陽能電池生產過程中的一道關鍵工序，其中，磷硼同擴工藝，即同時附磷、硼紙進行磷擴散和硼擴散是最常被采用的，其工藝特點在于工藝簡單，易操作，生產效率高，但磷硼同擴容易導致擴散不均，影響良品率，生產成本也較高。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種操作簡單，擴散均勻，良品率高，生產成本低的附磷涂硼工藝。
為解決上述技術問題，本發明提供一種附磷涂硼工藝，包括磷擴散步驟和硼擴散步驟，其特征在于：磷擴散和硼擴散采用以下步驟完成：步驟1：在晶片表面附磷紙，進行磷擴散；步驟2：在晶片表面涂硼液，再進行硼擴散。先進行磷擴散再進行硼擴散可以保證磷、硼擴散的均勻性，提高良品率，硼液利用率高，生產成本低。
前述的一種附磷涂硼工藝，其特征在于：所述步驟2中，涂硼液的手法為：從晶片外圈向晶片內圈涂。硼液涂抹均勻，有利于硼擴散的均勻性，提高品質。
前述的一種附磷涂硼工藝，其特征在于，所述步驟2中，涂硼液在涂片機臺上完成，使用涂片機臺上的特氟龍片固定晶片。整個附磷涂硼工藝操作簡單。
本發明所達到的有益效果:
工藝操作簡單，磷、硼擴散均勻，良品率高，節省材料，生產成本低。
附圖說明
圖1為本發明的工藝流程圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。
如圖1所示，首先對硅晶片附磷紙進行磷擴散，磷擴散完成后取出硅晶片，將硅晶片放置于涂片機臺上，涂片機臺上設有三塊用于固定的特氟龍片，在作業過程中使用特氟龍片固定住晶片，以從外圈向內圈的手法對晶片均勻涂硼液，硼液根據需要自行調制，最后將均勻涂有硼液的晶片送入擴散爐進行再次擴散。
本發明主要用于硅晶片的擴散工藝，工藝操作簡單，磷、硼擴散均勻，良品率高，節省材料，生產成本低。
以上實施例不以任何方式限定本發明，凡是對以上實施例以等效變換方式做出的其它改進與應用，都屬于本發明的保護范圍。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
