[發明專利]一種附磷涂硼工藝無效
| 申請號: | 201310107237.5 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103227105A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 張倉生 | 申請(專利權)人: | 昆山東日半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/22 | 分類號: | H01L21/22;H01L21/228 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;郭曉敏 |
| 地址: | 215332 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 附磷涂硼 工藝 | ||
【權利要求書】:
1.一種附磷涂硼工藝,包括磷擴散步驟和硼擴散步驟,其特征在于:磷擴散和硼擴散采用以下步驟完成:
步驟1:在晶片表面附磷紙,進行磷擴散;
步驟2:在晶片表面涂硼液,再進行硼擴散。
2.根據權利要求1所述的一種附磷涂硼工藝,其特征在于:所述步驟2中,涂硼液的手法為:從晶片外圈向晶片內圈涂。
3.根據權利要求2所述的一種附磷涂硼工藝,其特征在于,所述步驟2中,涂硼液在涂片機臺上完成,使用涂片機臺上的特氟龍片固定晶片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





