[發明專利]一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝

有效

• 申請號: 201310107099.0
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN104078367B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 徐謙剛;楊耀虎;魏靜;李文軍
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心62100
• 代理人: 鮮林

1.一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，按下述工藝步驟制作：

a、復合模版的設計及制作：

a.1：按照圓片的尺寸及肖特基二極管芯片的尺寸設計掩膜版，并將設計掩膜版轉換為鉻版，以備光刻使用；

a.2：選取厚度0.1mm～0.3mm的不銹鋼板，進行雙面涂膠并烘干，以備光刻使用；

a.3：光刻：在雙面光刻機上，將不銹鋼板放在兩塊鉻版的中間，位置對準后進行曝光，曝光時間30-40秒；

a.4：腐蝕：將光刻完成的不銹鋼板裝入腐蝕片盒，將腐蝕時間設定為60-180秒，溫度設定為30℃，腐蝕片盒進入裝有腐蝕液的腐蝕缸，腐蝕后形成漏印孔；

a.5：涂覆乳膠層，形成不銹鋼與乳膠層緊密結合的復合模板，乳膠層厚度0.05mm～0.1mm；

b、凸點漏印：

b.1：將復合模板粘貼在不銹鋼網框上，將網框固定在精密絲網印刷機上；

b.2：將制作有肖特基二極管芯片的圓片放在印刷臺面，并用真空吸牢，將漏印孔與肖特基二極管芯片電極對準；

b.3：將錫漿料倒入不銹鋼網框中，準備凸點漏印；

b.4：凸點漏印，在一定的刮板壓力下，錫漿料將從漏印孔沉積到肖特基二極管電極上形成錫漿料凸點；

c、凸點燒結及表面清洗：

c.1：凸點燒結，將有錫漿料凸點的圓片，水平放入真空燒結爐中燒結；

c.2：凸點表面清洗，燒結完成后的圓片在分析純酒精中浸泡，浸泡完成后在去離子水中用超聲清洗；

c.3：干燥，將清洗好的圓片放入充氮氣的烘箱中，溫度設定120℃，時間25min，產品干燥后取出檢驗，凸點制作完成。

2.根據權利要求1所述的一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，其特征在于：所述步驟a.3中形成的漏印孔直徑為0.2mm～0.5mm。

3.根據權利要求1所述的一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，其特征在于：所述步驟b.3中錫漿料的粘度應為900 Kcps±50 Kcps。

4.根據權利要求1所述的一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，其特征在于：所述步驟c.1中真空燒結爐的燒結參數為：真空度為5×10^-1Pa，最高溫度為235℃±5℃，升溫速率為25-26℃/min，恒溫時間為2分鐘。

5.根據權利要求1所述的一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，其特征在于：所述步驟c.2中在分析純酒精中浸泡10分鐘，浸泡完成后在去離子水中用超聲清洗15分鐘。

6.根據權利要求1所述的一種倒扣封裝肖特基二極管凸點的制作工藝，其特征在于：所述步驟c.2中所述肖特基二極管芯片電極的形狀為圓形或矩形。