[發明專利]一種自清洗腔體

有效

• 申請號: 201310106579.5
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN103170486A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 張享倩;王波雷;姬丹丹;李偉;王浩
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: B08B13/00
• 分類號: B08B13/00;B08B3/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術領域

本發明涉及硅片清洗領域，尤其涉及一種自清洗腔體。

背景技術

隨著大規模集成電路的發展，集成度的不斷提高，線寬的不斷減小，對硅片的表面質量要求越來越高。硅片清洗成了半導體制造中最重要最頻繁的步驟。

半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。

物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是，從有圖形的片子上除去小于1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。

化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染，方法較多，有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。

目前常用的硅片清洗方法為濕法化學清洗，采用濕法化學方法清洗的硅片清洗設備都需要工藝腔體，不管是封閉腔體還是開放腔體。硅片清洗根據工藝階段不同需要不同的藥液，腔體長時間使用之后，其內壁上粘附的各種藥液會產生結晶，影響清洗環境的潔凈，封閉的工藝腔體這種情況會更加嚴重。因此為了提高硅片的清洗質量，必須在使用一段時間之后對工藝腔體內壁進行清潔維護。但是現有的清洗設備工藝腔體清潔維護工序都是先將腔體從設備上拆卸之后才能進行，這種方法費時費力，而且腔體清潔完成重新安裝之后，原來調好的初始位置等都會發生一定的變化，需要重新進行調整與設置，也會影響工作效率，因此急需要一種節約時間、節約人力的腔體清洗方法解決目前的難題。

發明內容

（一）要解決的技術問題

避免先將腔體從設備上拆卸之后才能進行清洗的問題，能省時省力，避免在清洗硅片時對腔體進行重新的調整和設置的問題。

（二）技術方案

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種自清洗腔體，其包括腔體，自清洗腔體的主體；噴水嘴，清洗時的出水口；排液口，用于排出清洗硅片和腔體時的液體。

其中，噴水嘴安裝在腔體外部，排液口在腔體下部。

其中，噴水嘴有上下兩排，且其上下位置面對面正對。

其中，進液軟管一端在噴水嘴內。

其中，進液軟管沒有伸入噴水嘴的部分安裝有調壓閥。

其中，調壓閥之前有至少一個手閥或氣動閥。

其中，腔體上部有排氣管。

其自清洗的步驟為：

1）開啟手閥和氣動閥，調節調壓閥控制水流流量，開始清洗腔體；

2）清洗完畢后，關閉手閥、氣動閥和調壓閥。

（三）有益效果

本發明的上述技術方案具有如下優點：通過調壓閥控制進液口的流量，來達到不同的清潔效果；腔體上下側均設置噴嘴，可以實現均勻清洗；增加排氣孔，排出污染空氣，減少腔體的污染程度，提高硅片的清洗效率，降低自清洗頻率；增加排液口，清洗完成后的廢液可以直接通過排液口排出。最終實現腔體的不拆卸清洗。

附圖說明

圖1是本發明實施例的工作原理圖。

圖2是本發明實施例的腔體外形圖。

圖3是本發明實施例的腔體剖視圖。

圖4是本發明實施例的工作狀態示意圖。

圖中，1：腔體；2：排氣管；3：上側支流的進液軟管；4：上側支流的噴水嘴；5：下側支流的噴水嘴；6：下側支流的進液軟管；7：硅片；8：旋轉卡盤；9：排液口。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。