[發明專利]集成電路裝置及用以使用于該集成電路裝置中的方法

有效

• 申請號: 201310103561.X
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103579093A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 施彥豪;陳士弘;葉騰豪;胡志瑋;蔡豐年;林烙躍
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種方法，用以使用于一集成電路裝置，包括一由多個介電/導電層形成的疊層，以形成多個層間連接件，該多個層間連接件自該集成電路裝置的一表面延伸至該多個導電層，該方法包括：

建立分隔的多個接觸開口于該集成電路裝置的一接觸區域內，而貫穿一介電層并以一介電層材料分隔各該接觸開口，該多個接觸開口位于一導電層上，用于W個該多個導電層的每一個；

該多個接觸開口的該建立步驟包括向下建立一第一接觸開口至一第一導電層；

利用一組N個刻蝕掩模，2N-1小于W且2N大于或等于W，該多個刻蝕掩模具有多個掩模區及分隔的多個開放刻蝕區，該多個開放刻蝕區對應于選擇的該多個接觸開口；

利用N個該多個刻蝕掩模來刻蝕由該多個介電/導電層形成的該疊層，以僅貫穿W-1個該多個接觸開口而建立多個延伸接觸開口，該多個延伸接觸開口延伸至W-1個該多個導電層；

該刻蝕步驟包括利用各該刻蝕掩模來透過至少半數的該多個接觸開口而刻蝕2n-1個該多個導電層，n＝1、2...N；

該刻蝕步驟是執行，使得該多個接觸開口是以該多個刻蝕掩模的不同組合的該多個開放刻蝕區來進行刻蝕；以及

形成該多個層間連接件于該第一接觸開口內及該多個延伸接觸開口內，以電性連接于各該導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

該多個接觸開口的該建立步驟是建立具有多個深度所形成的一范圍的該多個接觸開口，從一最深接觸開口至一最淺接觸開口；

該最深接觸開口于該介電層的一上表面的截面積較該最淺接觸開口于該第一導電層的截面積大0-400％。

3.根據權利要求1所述的方法，其中：

該多個接觸開口的該建立步驟是建立具有多個深度所形成的一范圍的該多個接觸開口，從一最深接觸開口至一最淺接觸開口；

該最深接觸開口于該介電層的一上表面的截面積較該最淺接觸開口于該第一導電層的截面積大0-100％。

4.根據權利要求1所述的方法，其中該建立步驟是執行且N個該多個刻蝕掩模被配置，使得圍繞在該多個接觸開口的周圍的該介電層材料不受影響。

5.根據權利要求1所述的方法，其中該多個刻蝕掩模的該使用步驟及該刻蝕步驟是執行，使得該多個接觸開口與該多個延伸接觸開口具有相似的周邊形狀。

6.根據權利要求1所述的方法，其中該多個接觸開口的該建立步驟包括形成該多個接觸開口來貫穿該包括一介電層間及一刻蝕停止層的介電層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

該第一接觸開口未在該刻蝕步驟中進行刻蝕；

三個該多個刻蝕掩模被使用來刻蝕一第二接觸開口，以貫穿七層該多個導電層，n＝1、2及3；

一個該刻蝕掩模被使用來刻蝕一第三接觸開口，以貫穿一層該導電層，n＝1；

兩個該多個刻蝕掩模被使用來刻蝕一第四接觸開口，以貫穿六層該多個導電層，n＝2及3；

一個該刻蝕掩模被使用來刻蝕一第五接觸開口，以貫穿兩層該多個導電層，n＝2；

兩個該多個刻蝕掩模被使用來刻蝕一第六接觸開口，以貫穿五層該多個導電層，n＝1及3；

兩個該多個刻蝕掩模被使用來刻蝕一第七接觸開口，以貫穿三層該多個導電層，n＝1及2；以及

1個該刻蝕掩模被使用來刻蝕一第八觸開口，以貫穿四層該多個導電層，n＝3。

8.根據權利要求1所述的方法，其中：

W＝8且N＝3。

9.根據權利要求7所述的方法，其中：

該第一接觸開口至該第八接觸開口是以數字的順序排列，使得該第二接觸開口位于該第一接觸開口與該第三接觸開口之間，該第三接觸開口位于該第二接觸開口與該第四接觸開口之間，以此類推。

10.根據權利要求1所述的方法，其中：

該多個接觸開口的該刻蝕步驟是執行，使得至少部分的該多個層間連接件終結于位在至少與相鄰的該多個層間連接件所終結的該多個導電層距離至少兩個階層的位置的該多個導電層。