[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201310103506.0
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103367369B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 全南鎬;金俊秀;山田悟;李在訓;韓升煜;金志永;李進成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,張帆

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年3月28日在韓國知識產權局提交的題為“半導體存儲器件”的韓國專利申請第10-2012-0031870號的優先權，其整體通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體器件，并且更具體地涉及半導體存儲器件。

背景技術

半導體器件由于其尺寸小、功能多和/或制造成本低因而在電子行業中非常受歡迎。半導體器件當中的半導體存儲器件可以存儲邏輯數據。近年來，隨著電子器件性能的提高，已經需要具有優良性能和/或優良可靠性的半導體存儲器件。因此，已經針對用于滿足上述需要的新半導體存儲器件作出了各種研究。

發明內容

本發明思想的各實施例可以提供具有優良性能的半導體存儲器件。

本發明思想的各實施例還可以提供具有優良可靠性的半導體存儲器件。

本發明思想的各實施例還可以提供能夠高度集成的半導體存儲器件。

在一個方面中，一種半導體存儲器件可以包括：寫入晶體管，其包括用于控制第一源極/漏極端子的第一寫入柵極和用于控制溝道區的第二寫入柵極；以及讀取晶體管，其包括與所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子連接的存儲節點柵極。所述第一寫入柵極可以具有第一功函數，并且所述第二寫入柵極可以具有與所述第一功函數不同的第二功函數。所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子可以不具有PN結。

在一些實施例中，所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子的摻雜狀態可以與所述寫入晶體管的溝道區的摻雜狀態相同。通過所述第一寫入柵極的第一功函數和所述第二寫入柵極的第二功函數的激發，在所述寫入晶體管的溝道區中可以產生勢壘，并且在所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子中可以產生勢阱。

在其他實施例中，所述第一寫入柵極可以連接到第一字線，并且所述第二寫入柵極可以連接到第二字線。

在另一些實施例中，所述第一字線可以與所述第二字線交叉。

在又一些實施例中，所述第一寫入柵極還可以執行所述讀取晶體管的控制柵極的功能。

在又一些實施例中，所述寫入晶體管還可以包括用于控制第二源極/漏極端子的第三寫入柵極。所述第三寫入柵極可以具有第三功函數。所述第二寫入柵極可以布置在所述第一寫入柵極與所述第三寫入柵極之間。在該情況下，所述第三功函數可以與所述第一功函數相同。作為替代，所述第三功函數可以與所述第二功函數相同。

在又一些實施例中，所述第一寫入柵極可以連接到第一字線；所述第三寫入柵極可以連接到第二字線；并且所述第二寫入柵極可以連接到所述第一字線和所述第二字線中的一個。

在又一些實施例中，所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子、溝道區和第二源極/漏極端子可以具有彼此相同的摻雜狀態。

在另一方面中，一種半導體存儲器件可以包括：第一有源部分，其包括主體部；第一柵極電極，其控制所述主體部的第一部分并且具有第一功函數；第二柵極電極，其控制所述主體部的第二部分并且具有與所述第一功函數不同的第二功函數；以及第二有源部分，其與所述第一有源部分間隔開并且包括與所述主體部的第一部分相鄰的讀取溝道區。其中所述主體部的第一部分和第二部分可以具有相同的摻雜狀態。所述第一柵極電極和所述第二柵極電極可以分別激發所述主體部的第一部分和第二部分的能帶，以在所述主體部的第一部分和第二部分中分別產生勢阱和勢壘。

在一些實施例中，所述第一柵極電極可以對應于寫入晶體管的第一寫入柵極和讀取晶體管的控制柵極；所述第二柵極電極可以對應于所述寫入晶體管的第二寫入柵極；所述主體部的第一部分的勢阱可以對應于存儲節點；并且所述存儲節點可以對應于所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子和所述讀取晶體管的存儲節點柵極。

在其他實施例中，所述主體部的第一部分和第二部分可以處于本征狀態。

在另一些實施例中，所述主體部的第一部分和第二部分可以輕微摻雜第一導電類型的摻雜劑。

在又一些實施例中，所述半導體存儲器還可以包括：第三柵極電極，其布置在所述第二柵極電極的一側，所述第三柵極電極具有第三功函數。所述第三柵極電極可以控制所述主體部的第三部分。所述主體部的第三部分可以具有與所述主體部的第一部分和第二部分相同的摻雜狀態。所述第二柵極電極可以布置在所述第一柵極電極與所述第三柵極電極之間。