[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201310103506.0
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN103367369B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 全南鎬;金俊秀;山田悟;李在訓;韓升煜;金志永;李進成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,張帆

1.一種半導體存儲器件，包括：

寫入晶體管，其包括用于控制第一源極/漏極端子的第一寫入柵極和用于控制溝道區的第二寫入柵極；以及

讀取晶體管，其包括與所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子連接的存儲節點柵極，

其中所述第一寫入柵極具有第一功函數，并且所述第二寫入柵極具有與所述第一功函數不同的第二功函數；并且

其中所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子不具有PN結。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：

所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子的摻雜狀態與所述寫入晶體管的溝道區的摻雜狀態相同；并且

通過所述第一寫入柵極的第一功函數和所述第二寫入柵極的第二功函數的激發，在所述寫入晶體管的溝道區中產生勢壘，并且在所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子中產生勢阱。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一寫入柵極連接到第一字線，并且所述第二寫入柵極連接到第二字線。

4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中所述第一字線與所述第二字線交叉。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一寫入柵極還執行所述讀取晶體管的控制柵極的功能。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：

所述寫入晶體管還包括用于控制第二源極/漏極端子的第三寫入柵極；

所述第三寫入柵極具有第三功函數；并且

其中所述第二寫入柵極布置在所述第一寫入柵極與所述第三寫入柵極之間。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中所述第一寫入柵極連接到第一字線；

其中所述第三寫入柵極連接到第二字線；并且

其中所述第二寫入柵極連接到所述第一字線和所述第二字線中的一個。

8.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子、溝道區和第二源極/漏極端子具有相同的摻雜狀態。

9.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中所述第三功函數與所述第一功函數或者與所述第二功函數相同。

10.一種半導體存儲器件，包括：

第一有源部分，其包括主體部；

第一柵極電極，其控制所述主體部的第一部分并且具有第一功函數；

第二柵極電極，其控制所述主體部的第二部分并且具有與所述第一功函數不同的第二功函數；以及

第二有源部分，其與所述第一有源部分間隔開并且包括與所述主體部的第一部分相鄰的讀取溝道區，

其中所述主體部的第一部分和第二部分具有相同的摻雜狀態；并且

其中所述第一柵極電極和所述第二柵極電極分別激發所述主體部的第一部分和第二部分的能帶，以在所述主體部的第一部分和第二部分中分別產生勢阱和勢壘。

11.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中：

所述第一柵極電極對應于寫入晶體管的第一寫入柵極和讀取晶體管的控制柵極；

所述第二柵極電極對應于所述寫入晶體管的第二寫入柵極；

所述主體部的第一部分的勢阱對應于存儲節點；并且

所述存儲節點對應于所述寫入晶體管的第一源極/漏極端子和所述讀取晶體管的存儲節點柵極。

12.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中所述主體部的第一部分和第二部分處于本征狀態。

13.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中所述主體部的第一部分和第二部分輕微摻雜了第一導電類型的摻雜劑。

14.如權利要求10所述的半導體存儲器件，還包括：

第三柵極電極，其布置在所述第二柵極電極的一側，所述第三柵極電極具有第三功函數，

其中所述第三柵極電極控制所述主體部的第三部分；

其中所述主體部的第三部分具有與所述主體部的第一部分和第二部分相同的摻雜狀態；并且

其中所述第二柵極電極布置在所述第一柵極電極與所述第三柵極電極之間。