[發(fā)明專(zhuān)利]具有不對(duì)稱(chēng)環(huán)壁的發(fā)光二極管晶片承載座

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310103205.8
• 申請(qǐng)日: 2013-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104078546A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林祐任;李廷璽
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 一詮精密電子工業(yè)（中國(guó)）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 北京天平專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11239
• 代理人: 孫剛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管，尤指一種具有不對(duì)稱(chēng)環(huán)壁的發(fā)光二極管晶片承載座。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（Light?Emitting?Diode；LED）具有壽命長(zhǎng)、反應(yīng)快、節(jié)能省電及安全等優(yōu)點(diǎn)，并隨著技術(shù)進(jìn)步，LED的亮度等級(jí)也越來(lái)越高，使發(fā)光二極管已廣泛用于照明裝置。

傳統(tǒng)的發(fā)光二極管，其主要包括一承載座及放置在承載座的發(fā)光二極管晶片，此承載座包含一塑膠杯體及設(shè)置于塑膠杯體內(nèi)部的一導(dǎo)線(xiàn)架，發(fā)光二極管晶片固定于導(dǎo)線(xiàn)架上，并承載座于發(fā)光二極管晶片周?chē)纬梢画h(huán)壁，最后利用環(huán)壁將發(fā)光二極管晶片的光線(xiàn)反射，從而讓光線(xiàn)集中一范圍照射。

然而，發(fā)光二極管晶片垂直所在平面的方向具有一光軸，光軸和環(huán)壁之間的夾角越大，則光線(xiàn)反射后的照射范圍越大，以增加發(fā)光二極管的照射范圍；但若于一承載座內(nèi)放置二個(gè)發(fā)光二極管晶片，各發(fā)光二極管晶片的光軸和環(huán)壁之間的夾角越大，則部分光線(xiàn)就會(huì)交叉而產(chǎn)生干涉區(qū)域，造成不均勻的明暗光波紋，導(dǎo)致發(fā)光二極管降低亮度。

有鑒于此，本發(fā)明人遂針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)，特潛心研究并配合學(xué)理的運(yùn)用，盡力解決上述的問(wèn)題點(diǎn)，即成為本發(fā)明人開(kāi)發(fā)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的，在于提供一種具有不對(duì)稱(chēng)環(huán)壁的發(fā)光二極管晶片承載座，其利用環(huán)壁兩側(cè)不對(duì)稱(chēng)，而使光軸和環(huán)壁兩側(cè)之間形成有不同的夾角，使發(fā)光二極管一側(cè)具有廣泛地照射范圍，另一側(cè)能夠縮小光線(xiàn)交叉的干涉區(qū)域，避免光干涉的發(fā)生。

為了達(dá)成上述的目的，本發(fā)明提供一種具有不對(duì)稱(chēng)環(huán)壁的發(fā)光二極管晶片承載座，所述發(fā)光二極管晶片沿一光軸方向發(fā)光，該承載座包括：

一基座，包含一塑膠杯體及固置于該塑膠杯體的一導(dǎo)線(xiàn)架，該塑膠杯體內(nèi)設(shè)有至少一凹坑部，該凹坑部?jī)?nèi)具有一底壁及形成在該底壁周緣的一環(huán)壁，該環(huán)壁上具有相對(duì)的一第一側(cè)壁及一第二側(cè)壁，所述發(fā)光二極管晶片固定在該底壁并和該導(dǎo)線(xiàn)架電性連接，并該第一側(cè)壁和所述光軸之間形成一第一夾角，該第二側(cè)壁和所述光軸之間形成一第二夾角，該第一夾角的角度大于該第二夾角的角度。

其中，該第一夾角的角度和該第二夾角的角度的總和等于90°。

其中，該塑膠杯體具有一環(huán)墻及在該環(huán)墻形成一容置區(qū)，該導(dǎo)線(xiàn)架具有裸露于該容置區(qū)底部的一支架，該凹坑部形成在該支架上。

其中，該支架包含相互分離的一第一支架及一第二支架，并該塑膠杯體于該第一支架及該第二支架之間形成一絕緣段。

其中，凹坑部的數(shù)量為二，其一該凹坑部自該第一支架上凹設(shè)成型，另一該凹坑部自該第二支架上凹設(shè)成型，而令其一該環(huán)壁由該第一支架?chē)O(shè)成型，另一該環(huán)壁由該第二支架?chē)O(shè)成型。

其中，凹坑部的數(shù)量為二，其一該凹坑部自該第一支架上及該絕緣段一側(cè)凹設(shè)成型，另一該凹坑部自該第二支架上及該絕緣段另一側(cè)凹設(shè)成型，而令其一該環(huán)壁由該第一支架及該絕緣段一側(cè)圍設(shè)成型，另一該環(huán)壁由該第二支架及該絕緣段另一側(cè)圍設(shè)成型。

其中，凹坑部的數(shù)量為二，該絕緣段的高度突出該第一支架及該第二支架，其一該凹坑部形成于該環(huán)墻、該第一支架及該絕緣段之間，另一該凹坑部形成于該環(huán)墻、該第二支架及該絕緣段之間，而令其一該環(huán)壁由該環(huán)墻及該絕緣段一側(cè)圍設(shè)成型，另一該環(huán)壁由該環(huán)墻及該絕緣段另一側(cè)圍設(shè)成型。

其中，該二凹坑部呈并列排列，并該基座于該二凹坑部之間形成一凸肋，該二第二側(cè)壁分別形成在該凸肋的兩側(cè)。

其中，該環(huán)壁為一矩形狀環(huán)壁，該矩形狀環(huán)壁具有相對(duì)的二長(zhǎng)邊段及二短邊段，該第一側(cè)壁形成在其一該短邊段上，該第二側(cè)壁形成在另一該短邊段上。

其中，該環(huán)壁為一矩形狀環(huán)壁，該矩形狀環(huán)壁具有相對(duì)的二長(zhǎng)邊段及二短邊段，該第一側(cè)壁形成在其一該長(zhǎng)邊段上，該第二側(cè)壁形成在另一該長(zhǎng)邊段上。

本發(fā)明還具有以下功效：

第一、凹坑部的數(shù)量為二以上，各凹坑部的環(huán)壁兩側(cè)不對(duì)稱(chēng)，使發(fā)光二極管晶片的光軸和環(huán)壁兩側(cè)之間形成有不同的夾角，讓發(fā)光二極管晶片并列排列時(shí)，二發(fā)光二極管晶片的外側(cè)和光軸之間的夾角較大，而具有廣泛地照射范圍，并內(nèi)側(cè)和光軸之間的夾角較小，讓光線(xiàn)在反射一定距離后才會(huì)發(fā)生交叉情形，而能夠縮小光線(xiàn)交叉的干涉區(qū)域，避免光干涉的發(fā)生，使發(fā)光二極管同時(shí)具有照射范圍廣泛及體整均光的特點(diǎn)，而達(dá)到發(fā)光二極管亮度的提升。