[發明專利]具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座

無效

• 申請號: 201310103205.8
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN104078546A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 林祐任;李廷璽
• 申請（專利權）人: 一詮精密電子工業（中國）有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54
• 代理公司: 北京天平專利商標代理有限公司 11239
• 代理人: 孫剛

1.一種具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，所述發光二極管晶片沿一光軸方向發光，其特征在于，該承載座包括：

一基座，包含一塑膠杯體及固置于該塑膠杯體的一導線架，該塑膠杯體內設有至少一凹坑部，該凹坑部內具有一底壁及形成在該底壁周緣的一環壁，該環壁上具有相對的一第一側壁及一第二側壁，所述發光二極管晶片固定在該底壁并和該導線架電性連接，并該第一側壁和所述光軸之間形成一第一夾角，該第二側壁和所述光軸之間形成一第二夾角，該第一夾角的角度大于該第二夾角的角度。

2.如權利要求1所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該第一夾角的角度和該第二夾角的角度的總和等于90°。

3.如權利要求1所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該塑膠杯體具有一環墻及在該環墻形成一容置區，該導線架具有裸露于該容置區底部的一支架，該凹坑部形成在該支架上。

4.如權利要求3所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該支架包含相互分離的一第一支架及一第二支架，并該塑膠杯體于該第一支架及該第二支架之間形成一絕緣段。

5.如權利要求4所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，凹坑部的數量為二，其一該凹坑部自該第一支架上凹設成型，另一該凹坑部自該第二支架上凹設成型，而令其一該環壁由該第一支架圍設成型，另一該環壁由該第二支架圍設成型。

6.如權利要求4所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，凹坑部的數量為二，其一該凹坑部自該第一支架上及該絕緣段一側凹設成型，另一該凹坑部自該第二支架上及該絕緣段另一側凹設成型，而令其一該環壁由該第一支架及該絕緣段一側圍設成型，另一該環壁由該第二支架及該絕緣段另一側圍設成型。

7.如權利要求4所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，凹坑部的數量為二，該絕緣段的高度突出該第一支架及該第二支架，其一該凹坑部形成于該環墻、該第一支架及該絕緣段之間，另一該凹坑部形成于該環墻、該第二支架及該絕緣段之間，而令其一該環壁由該環墻及該絕緣段一側圍設成型，另一該環壁由該環墻及該絕緣段另一側圍設成型。

8.如權利要求5、6或7所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該二凹坑部呈并列排列，并該基座于該二凹坑部之間形成一凸肋，該二第二側壁分別形成在該凸肋的兩側。

9.如權利要求1所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該環壁為一矩形狀環壁，該矩形狀環壁具有相對的二長邊段及二短邊段，該第一側壁形成在其一該短邊段上，該第二側壁形成在另一該短邊段上。

10.如權利要求1所述的具有不對稱環壁的發光二極管晶片承載座，其特征在于，該環壁為一矩形狀環壁，該矩形狀環壁具有相對的二長邊段及二短邊段，該第一側壁形成在其一該長邊段上，該第二側壁形成在另一該長邊段上。