[發明專利]LED顯示屏及其制作方法有效
| 申請號: | 201310103196.2 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN103219286A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 畢少強 | 申請(專利權)人: | 映瑞光電科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L21/84;H01L21/50;H01L33/38 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201306 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 顯示屏 及其 制作方法 | ||
1.一種LED顯示屏的制造方法,包括:
提供襯底,在襯底上形成管芯,在所述管芯上形成第一隔離溝道隔離出像素單元;
在管芯表面形成第一絕緣層,并平坦化所述第一絕緣層;
在第一絕緣層對應區域開出第一孔槽群;
在第一絕緣層上形成第一金屬層,并平坦化所述第一金屬層,第一孔槽群內的金屬組成第一電極群,第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層;
在第一電極層對應區域開出絕緣孔槽群;
在第一電極層上形成第二絕緣層,并平坦化所述第二絕緣層;
在第二絕緣層對應區域開出第二孔槽群;
在第二絕緣層上形成第二金屬層,并平坦化所述第二金屬層,第二孔槽群內的金屬組成第二電極群,第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層,在第二電極層中按像素單元形成第二隔離溝道,在第二隔離溝道中填充有絕緣物質;
在第二電極層表面形成薄膜晶體管層;
在薄膜晶體管層上貼裝基板。
2.如權利要求1所述的LED顯示屏的制造方法,其特征在于:所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心,所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。
3.如權利要求1所述的LED顯示屏的制造方法,其特征在于:所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層,所述多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導體層。
4.如權利要求3所述的LED顯示屏的制造方法,其特征在于:所述第一電極群形成在電流擴散層上,所述第二電極群形成在N型半導體層上。
5.如權利要求3所述的LED顯示屏的制造方法,其特征在于:所述第一電極群形成在N型半導體層上,所述第二電極群形成在電流擴散層上。
6.如權利要求1至5中任一項所述的LED顯示屏的制造方法,其特征在于:所述襯底為藍寶石襯底。
7.如權利要求1所述的方法制造出的LED顯示屏,包括:基板,封裝在基板上的像素模塊,其特征在于:所述像素模塊為單個LED芯片,所述LED芯片包括:襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設置于管芯上并與管芯對應區域接觸的電極,所述管芯上形成有第一隔離溝道隔離出像素單元,所述電極包括第一電極群和第二電極群,所述第一電極群上生成有第一電極層,所述第二電極群上生成有第二電極層,所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開,所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開,第二電極層中形成有按像素單元形成第二隔離溝道,第二電極層表面形成有薄膜晶體管層,薄膜晶體管層與基板貼裝。
8.如權利要求7所述的LED顯示屏,其特征在于:所述第一電極群的電極位于所述像素單元的中心,所述第二電極群的電極分布在像素單元的四個角上。
9.如權利要求8所述的LED顯示屏,其特征在于:所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導體層、多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層,所述多量子阱層、P型半導體層和電流擴散層部分暴露出所述N型半導體層。
10.如權利要求9所述的LED顯示屏,其特征在于:所述第一電極群與所述電流擴散層接觸,所述第二電極群與所述N型半導體層接觸。
11.如權利要求9所述的LED顯示屏,其特征在于:所述第一電極群與所述N型半導體層接觸,所述第二電極群與所述電流擴散層接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





