[發(fā)明專利]過電壓保護(hù)元件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310102267.7 | 申請日： | 2013-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN104078447B | 公開（公告）日： | 2018-10-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉秀倫;張育嘉;劉澤鈞;許秀美 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 趙根喜;呂俊清 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 過電壓 保護(hù) 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種過電壓保護(hù)元件的制備方法，包含：
形成一絕緣層于一基板之上；
形成一凹槽于該絕緣層之內(nèi)；
形成一光阻圖案，其填滿該凹槽并凸伸出該絕緣層；
形成一導(dǎo)體層于該絕緣層之上，該光阻圖案分隔該導(dǎo)體層而形成一第一電極及一第二電極；以及
去除該光阻圖案，由此該第一電極及該第二電極形成一放電通路，且該凹槽位于該放電通路的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，還包含：
形成一墊高層于該導(dǎo)體層之上，該墊高層具有一開口，至少局部曝露該第一電極及該第二電極；以及
形成一保護(hù)層于該墊高層之上，且該保護(hù)層遮蔽該開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，其中該開口的斷面寬度大于該凹槽的斷面寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，其中該光阻圖案具有一上窄下寬的斷面，使得該第一電極的斷面具有一第一尖部，該第二電極的斷面具有一第二尖部，該第一尖部及該第二尖部設(shè)置于該凹槽之上。
5.一種過電壓保護(hù)元件的制備方法，包含：
形成一凹槽于一絕緣基板之內(nèi)；以及
形成一光阻圖案，其填滿該凹槽并凸伸出該絕緣基板；
形成一導(dǎo)體層于該絕緣基板之上，該光阻圖案分隔該導(dǎo)體層而形成一第一電極及一第二電極；以及
去除該光阻圖案，藉此該第一電極及該第二電極形成一放電通路，且該凹槽位于該放電通路的下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，還包含：
形成一墊高層于該導(dǎo)體層之上，該墊高層具有一開口，至少局部曝露該第一電極及該第二電極；以及
形成一保護(hù)層于該墊高層之上，且該保護(hù)層遮蔽該開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，其中該開口的斷面寬度大于該凹槽的斷面寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護(hù)元件的制備方法，其中該光阻圖案具有一上窄下寬的斷面，使得該第一電極的斷面具有一第一尖部，該第二電極的斷面具有一第二尖部，該第一尖部及該第二尖部設(shè)置于該凹槽之上。
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