[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310101296.1 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104078586A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,包括依次層疊的陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極層和封裝層,其特征在于,所述封裝層包括依次疊層設置的第一封裝單元和第二封裝單元,所述第一封裝單元依次包括第一有機阻擋層、第二有機阻擋層和混合阻擋層,所述第二封裝單元依次包括第三有機阻擋層、第四有機阻擋層和無機阻擋層,
所述混合阻擋層材質為金屬氧化物、金屬氟化物和酞菁物形成的混合材料,所述金屬氧化物為三氧化鉬、五氧化二釩、三氧化鎢、氧化銫、氧化鎳或二氧化錳,所述金屬氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇,所述酞菁物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳、酞菁鎳,所述無機阻擋層材質為氮化物、金屬硫化物和碳化物形成的混合材料,所述氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦,所述金屬硫化物為硫化鎘、硫化鉛、硫化亞鐵、硫化銅、硫化鋅或硫化鎳,所述碳化物為碳化硅、碳化鎢、碳化鉭、碳化硼、碳化鈦或碳化鉿;
所述第一有機阻擋層和第三有機阻擋層的材質均選自1,1-二((4-N,N′-二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種;
所述第二有機阻擋層和第四有機阻擋層的材質均選自4,7-二苯基鄰菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁和3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的一種。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述混合阻擋層的材質中,所述金屬氧化物和酞菁物的所占質量比均為10~30%;所述無機阻擋層的材質中,所述金屬硫化物和碳化物所占質量比均為10~30%。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第一有機阻擋層、第二有機阻擋層、第三有機阻擋層和第四有機阻擋層的厚度均為200nm~300nm,所述混合阻擋層和無機阻擋層的厚度均為100nm~200nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第一封裝單元和第二封裝單元依次交替重復設置2~4次。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





