[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310100762.4
• 申請日: 2013-03-27
• 公開（公告）號: CN103186001A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 王智勇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

在TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)中，TFT開關中的柵極和源極之間通常存在電容。當TFT關閉時，柵極電壓由高電平變換至低電平，由于柵源極電容的存在，像素電極上的電壓也將由于電容耦合效應被拉低，從而偏離系統預先設定的電壓，如圖1所示，當柵極電壓V_G為正電壓驅動TFT時，像素電壓Vp小于設定值，而當柵極電壓V_G為負電壓驅動TFT時，像素電壓Vp大于設定值。具體的，像素電壓Vp相對設定值的偏移量為：

ΔVp＝(V_GH-V_GL)*C_GS/(C_LC+C_ST+C_GS)????式1

其等效電路結構可以如圖2所示，由式1可知，柵極電壓變化對于像素電壓的影響主要由柵極開啟和關閉電壓的壓差(V_GH，V_GL)，柵源極電容(C_GS)，液晶電容(C_LC)和存儲電容(C_ST)決定。

為了克服由于像素電壓偏移而造成的顯示不良，現有的液晶顯示裝置通常采用公共電壓對像素電壓的偏移量進行補償。如圖1所示，可以令公共電壓Vcom＝-ΔVp，這樣即可消除像素電壓偏移所造成的影響。但其不足之處在于，在現有的液晶顯示裝置中，TFT的柵源極之間的電容C_GS通常并不固定，這將導致像素電壓Vp相對設定值的偏移量ΔVp產生差異，從而難以使用單一公共電壓對像素電壓偏移進行補償，進而影響液晶的偏轉方向，使得液晶分子在正電壓驅動和負電壓驅動時的透過率變得不同。這樣一來，由于液晶分子發生不必要的偏轉，人眼將會感受到屏幕明顯的閃爍，顯示屏幕長時間的閃爍還將引起人眼的不適，嚴重影響用戶的使用感受。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以克服TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，避免屏幕的閃爍，提高顯示裝置的顯示效果。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括：以陣列形式排列的多個像素單元、與各所述像素單元對應的橫縱交叉排列的柵線和數據線，每個所述像素單元包括薄膜晶體管TFT區域以及像素電極區域，所述TFT區域包括至少兩個TFT；

每個所述TFT的源極均與所述數據線電連接，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。

本發明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。

本發明實施例的又一方面，提供一種陣列基板制造方法，包括：

在透明基板上形成柵線以及柵極層，所述柵極層對應每個TFT區域內包括至少兩個TFT的柵極，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接；

在每個所述TFT的柵極的表面依次形成半導體有源層以及柵極保護層；

在形成有上述結構的基板上形成數據線、像素電極以及源漏極層，所述源漏極層包括至少兩個TFT的源極和漏極，每個所述TFT的源極均與所述數據線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。

本發明實施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，陣列基板包括以陣列形式排列的多個像素單元、與各像素單元對應的橫縱交叉排列的柵線和數據線，每個像素單元又包括一個薄膜晶體管TFT區域，該TFT區域又包括至少兩個TFT，每個TFT的源極均與數據線電連接，每個TFT的柵極均與柵線電連接，每個TFT的漏極均與像素電極電連接。采用這樣一種多TFT結構，各TFT的柵源極電容之間相互并聯，總的柵源極電容將保持不變，從而克服了現有技術中TFT柵源極之間電容不固定的缺陷，這樣一來，使用單一公共電壓即可以對像素電壓偏移進行有效補償，從而避免了屏幕的閃爍，大大提高顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

圖1為現有技術中陣列基板驅動信號的波形示意圖；

圖2為現有技術中一種陣列基板中像素單元的電路等效結構示意圖；

圖3a為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖3b為圖3a所示的陣列基板的中的一個像素單元的結構示意圖；