[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201310100762.4 | 申請日： | 2013-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN103186001A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王智勇 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，包括：以陣列形式排列的多個像素單元、與各所述像素單元對應的橫縱交叉排列的柵線和數據線，每個所述像素單元包括薄膜晶體管TFT區域以及像素電極區域，其特征在于，所述TFT區域包括至少兩個TFT；
每個所述TFT的源極均與所述數據線電連接，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT區域包括：
相對設置的第一TFT和第二TFT；
所述第一TFT與所述第二TFT的源極均與所述數據線電連接，所述第一TFT與所述第二TFT的柵極均與所述柵線電連接，所述第一TFT與所述第二TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的尺寸與所述第二TFT的尺寸相等。
4.根據權利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，每個所述TFT的源極為一體結構，每個所述TFT的漏極均為一體結構。
5.根據權利要求1-3任一所述的陣列基板，其特征在于，每個所述TFT均為U字型TFT結構。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-5任一所述陣列基板。
7.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括：
在透明基板上形成柵線以及柵極層，所述柵極層對應每個TFT區域內包括至少兩個TFT的柵極，每個所述TFT的柵極均與所述柵線電連接；
在每個所述TFT的柵極的表面依次形成半導體有源層以及柵極保護層；
在形成有上述結構的基板上形成數據線、像素電極以及源漏極層，所述源漏極層包括至少兩個TFT的源極和漏極，每個所述TFT的源極均與所述數據線電連接，每個所述TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
8.根據權利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述陣列基板包括：
相對設置的第一TFT和第二TFT；
所述第一TFT與所述第二TFT的源極均與所述數據線電連接，所述第一TFT與所述第二TFT的柵極均與所述柵線電連接，所述第一TFT與所述第二TFT的漏極均與所述像素電極電連接。
9.根據權利要求8所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT的尺寸與所述第二TFT的尺寸相等。
10.根據權利要求7-9任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT的源極與所述第二TFT的源極為一體結構，所述第一TFT的漏極與所述第二TFT的漏極為一體結構；
所述第一TFT的柵極不與所述第二TFT的柵極直接相連。
11.根據權利要求7-9任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一TFT與所述第二TFT均為U字型TFT結構。
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