[發(fā)明專利]一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應(yīng)性調(diào)節(jié)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310098852.4
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103208301A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧玉良;王艷東;劉云龍;李洛宇;羅春華;李孝遠
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08
• 代理公司: 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312
• 代理人: 陳健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應(yīng)性調(diào)節(jié)裝置。

背景技術(shù)

隨著航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，存儲器在航天領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。同時，對存儲器的抗輻照性能也提出了更高的要求。讀出靈敏放大器讀數(shù)的模塊是存儲器中最關(guān)鍵的電路模塊之一，也是最為敏感的電路單元，對存儲器的讀取速度、讀取數(shù)據(jù)可靠性都有重要影響，優(yōu)化靈敏放大器的輻照性能可以提高存儲器在宇宙空間工作時的可靠性，提高航天器飛行的安全性。為了提升輻照環(huán)境下器件的性能，需要對存儲器及其他電子元器件進行設(shè)計加固。加固的方法主要有工藝加固、版圖設(shè)計加固、電路設(shè)計加固等手段。在加固設(shè)計的基礎(chǔ)上還需一種能夠檢測空間總劑量效應(yīng)大小并調(diào)整存儲器相應(yīng)參數(shù)的設(shè)計，以彌補現(xiàn)有集成電路抗輻照加固方法存在的缺點和局限性，最大限度地提高期間抗輻照性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應(yīng)性調(diào)節(jié)裝置，采用劑量檢測傳感器或者檢測單元對輻照劑量進行檢測，并將輻照劑量變化轉(zhuǎn)化為電壓變化控制信號，根據(jù)輻照劑量的變化，控制靈敏放大器對讀出的閾值進行相應(yīng)調(diào)整，從而保證電路在輻照時也能正確讀出數(shù)據(jù)。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應(yīng)性調(diào)節(jié)裝置，包括：輻照檢測電路、靈敏放大器、至少一基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路或者偏置電流調(diào)整電路；

所述輻照檢測電路用于檢測輻照劑量的變化，并把產(chǎn)生的控制信號發(fā)送給所述基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和所述偏置電流調(diào)整電路；

所述基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路與所述靈敏放大器相連，調(diào)整靈敏放大器基準(zhǔn)電壓的大小，從而改變靈敏放大器增益，對靈敏放大器的讀取閾值進行調(diào)整；

所述偏置電流調(diào)整電路與所述靈敏放大器相連，調(diào)整靈敏放大器偏置電流的大小，從而對靈敏放大器的讀取閾值進行調(diào)整。

進一步地，所述的輻照檢測電路包括檢測閾值不同的輻照劑量檢測電路1至輻照劑量檢測電路n，所述的輻照劑量檢測電路1至輻照劑量檢測電路n分別有兩控制信號輸出，分別為基準(zhǔn)電壓控制信號T₁至T_n、偏置電流控制信號TN₁至TN_n;

所述基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路根據(jù)接收到的基準(zhǔn)電壓控制信號,將所述靈敏放大器的基準(zhǔn)電壓進行相應(yīng)程度的調(diào)整;

所述偏置電流調(diào)整電路根據(jù)接收到的偏置電流控制信號,將所述靈敏放大器的偏置電流進行相應(yīng)程度的調(diào)整。

進一步地，所述輻照劑量檢測電路包括：比較器、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C1、電容C2、NMOS管Q0；

電阻R1的一端與工作電壓相連，電阻R1的另一端與電阻R2的一端串聯(lián)連接，電阻R2的另一端接地，電容C1與電阻R2并聯(lián)連接；

電阻R3的一端與工作電壓相連，電阻R3的另一端與電阻R4的一端串聯(lián)連接，電阻R4的另一端接地，電容C2與電阻R4并聯(lián)連接，NMOS管Q0的漏極與電阻R4的一端連接，NMOS管Q0的柵極與源極接地；

電阻R1和電阻R2的串聯(lián)連接點與比較器的同相輸入端連接，電阻R3和電阻R4的串聯(lián)連接點與比較器的反相輸入端連接。

進一步地，所述比較器的輸出端分為兩線路，其中一線路直接作為基準(zhǔn)電壓控制信號輸出，另一線路接一反相器后作為偏置電流控制信號再輸出。

進一步地，所述偏置電流調(diào)整電路包括：PMOS管Q01、PMOS管Q02、NMOS管Q03、NMOS管Q04、開關(guān)SN₁至SN_n、電流源I₀、電流源I₁至I_n；

所述PMOS管Q01的漏極與所述PMOS管Q02的漏極相連，所述PMOS管Q01的柵極與所述PMOS管Q02的柵極相連，所述PMOS管Q01的柵極、所述PMOS管Q02的柵極與所述NMOS管Q03的漏極、所述PMOS管Q01的源極相連，所述PMOS管Q02的源極與所述NMOS管Q04的漏極相連；

所述NMOS管Q03的柵極作為偏置電流調(diào)整電路的電壓輸入端，所述NMOS管Q03的源極與所述NMOS管Q04的源極相連并輸出電流I_bias，所述NMOS管Q04的柵極作為偏置電流調(diào)整電路的參考電壓輸出端；