[發明專利]一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置

有效

• 申請號: 201310098852.4
• 申請日: 2013-03-26
• 公開（公告）號: CN103208301A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 鄧玉良;王艷東;劉云龍;李洛宇;羅春華;李孝遠
• 申請（專利權）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 陳健

1.一種抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置，其特征在于，包括：輻照檢測電路、靈敏放大器、至少一基準電壓調整電路或者偏置電流調整電路；

所述輻照檢測電路用于檢測輻照劑量的變化，并把產生的控制信號發送給所述基準電壓調整電路和所述偏置電流調整電路；

所述基準電壓調整電路與所述靈敏放大器相連，調整靈敏放大器基準電壓的大小，從而改變靈敏放大器增益，對靈敏放大器的讀取閾值進行調整；

所述偏置電流調整電路與所述靈敏放大器相連，調整靈敏放大器偏置電流的大小，從而對靈敏放大器的讀取閾值進行調整。

2.根據權利要求1所述的抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置，其特征在于，所述的輻照檢測電路包括檢測閾值不同的輻照劑量檢測電路1至輻照劑量檢測電路n，所述的輻照劑量檢測電路1至輻照劑量檢測電路n分別有兩控制信號輸出，分別為基準電壓控制信號T₁至T_n、偏置電流控制信號TN₁至TN_n;

所述基準電壓調整電路根據接收到的基準電壓控制信號,將所述靈敏放大器的基準電壓進行相應程度的調整;

所述偏置電流調整電路根據接收到的偏置電流控制信號,將所述靈敏放大器的偏置電流進行相應程度的調整。

3.根據權利要求2所述的抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置，其特征在于，所述輻照劑量檢測電路包括：比較器、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C1、電容C2、NMOS管Q0；

電阻R1的一端與工作電壓相連，電阻R1的另一端與電阻R2的一端串聯連接，電阻R2的另一端接地，電容C1與電阻R2并聯連接；

電阻R3的一端與工作電壓相連，電阻R3的另一端與電阻R4的一端串聯連接，電阻R4的另一端接地，電容C2與電阻R4并聯連接，NMOS管Q0的漏極與電阻R4的一端連接，NMOS管Q0的柵極與源極接地；

電阻R1和電阻R2的串聯連接點與比較器的同相輸入端連接，電阻R3和電阻R4的串聯連接點與比較器的反相輸入端連接。

4.根據權利要求3所述的抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置，其特征在于，所述比較器的輸出端分為兩線路，其中一線路直接作為基準電壓控制信號輸出，另一線路接一反相器后作為偏置電流控制信號再輸出。

5.根據權利要求1所述的抗輻照存儲器跟隨劑量適應性調節裝置，其特征在于，所述偏置電流調整電路包括：PMOS管Q01、PMOS管Q02、NMOS管Q03、NMOS管Q04、開關SN₁至SN_n、電流源I₀、電流源I₁至I_n；

所述PMOS管Q01的漏極與所述PMOS管Q02的漏極相連，所述PMOS管Q01的柵極與所述PMOS管Q02的柵極相連，所述PMOS管Q01的柵極、所述PMOS管Q02的柵極與所述NMOS管Q03的漏極、所述PMOS管Q01的源極相連，所述PMOS管Q02的源極與所述NMOS管Q04的漏極相連；

所述NMOS管Q03的柵極作為偏置電流調整電路的電壓輸入端，所述NMOS管Q03的源極與所述NMOS管Q04的源極相連并輸出電流I_bias，所述NMOS管Q04的柵極作為偏置電流調整電路的參考電壓輸出端；

所述開關SN₁至SN_n并聯連接，開關SN₁至SN_n的一端接電流I_bias，另一端通過電流源I₁至I_n再接地，所述電流源I₀的一端接輸出電流I_bias，另一端直接接地。