[發(fā)明專利]一種硅片單面膜層的去除方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310096925.6
• 申請(qǐng)日: 2013-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN104078348A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉金升;鄭曄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶洲裝備科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成工藝及太陽(yáng)能電池片制作工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種硅片單面膜層的去除方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池工藝技術(shù)中，硅片表面生長(zhǎng)(淀積)膜層的做法是非常普遍的，但是在長(zhǎng)膜工藝過程中，硅片兩面往往都會(huì)伴隨有膜層，而背面的膜層常會(huì)給工藝帶來(lái)不利的影響，需要去除。目前常用單面去膜技術(shù)的缺點(diǎn)是工藝流程復(fù)雜，腐蝕液用量大，容易造成環(huán)境污染，成本高，產(chǎn)量低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述不足，提供了一種硅片單面膜層的去除方法。

本發(fā)明的上述目的通過以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種硅片單面膜層的去除方法，包括以下步驟：

A、使用保護(hù)介質(zhì)將待處理硅片不需要去除膜層的正面覆蓋，確保硅片正面不受腐蝕；

B、將步驟A的硅片置于具有腐蝕性蒸汽的環(huán)境中，利用蒸汽將硅片背面的待去除膜層腐蝕去除；

C、采用去離子水對(duì)步驟B中腐蝕后的硅片進(jìn)行清洗。

步驟A中的保護(hù)介質(zhì)可以是液體，如水、乙醇等；也可以是惰性固體，如細(xì)沙、橡膠等。

步驟B中的待去除膜層可以是二氧化硅膜、磷硅玻璃、硼硅玻璃，氮化硅膜、二氧化鈦膜或三氧化二鋁膜等。

步驟B中的腐蝕性蒸汽來(lái)源于易揮發(fā)的腐蝕性溶液，所述腐蝕液可以是酸液及其混合液，也可以是堿液及其混合液；腐蝕液揮發(fā)出的蒸汽可以腐蝕硅片表面膜層，但是不腐蝕硅材料，也不會(huì)破壞正面保護(hù)層。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明采用腐蝕性溶液揮發(fā)出的蒸汽進(jìn)行單面膜層的腐蝕，溶液用量小，成本低，污染少；與傳統(tǒng)浸入溶液腐蝕方法相比，氣體腐蝕對(duì)正面保護(hù)層要求低，正面保護(hù)層制作簡(jiǎn)單，而且容易去除；本方法更容易實(shí)現(xiàn)流水線作業(yè)，產(chǎn)量高；對(duì)設(shè)備機(jī)械精度容忍度很高，節(jié)約了設(shè)備制造成本，同時(shí)工藝穩(wěn)定，容易控制。本發(fā)明適用性廣，適合各種規(guī)格硅片上多種膜層的單面去除。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳述：

實(shí)施例1：

表面帶有20nm二氧化硅薄膜的硅片，正面向下水平置于傳送帶上，經(jīng)過HF蒸汽環(huán)境，進(jìn)行1分鐘的腐蝕，上述過程中硅片正面受到直接接觸的傳送帶保護(hù)，腐蝕性氣體無(wú)法侵入；背面向上暴露在HF蒸汽環(huán)境中，二氧化硅膜層被腐蝕。然后經(jīng)去離子水進(jìn)行清洗。實(shí)現(xiàn)單面膜層的去除。

實(shí)施例2：

表面帶有70nm氮化硅薄膜的硅片，正面向上置于間隔傳送滾輪上，表面噴灑保護(hù)性液體，經(jīng)過HF蒸汽環(huán)境，進(jìn)行2分鐘的腐蝕，上述過程中硅片正面受到保護(hù)液的覆蓋，腐蝕性氣體無(wú)法侵入；而背面在傳送過程受到HF蒸汽的腐蝕，氮化硅硅膜層被腐蝕。然后經(jīng)去離子水進(jìn)行清洗。實(shí)現(xiàn)單面膜層的去除。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。