[發明專利]一種硅片單面膜層的去除方法無效
| 申請號： | 201310096925.6 | 申請日： | 2013-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN104078348A | 公開（公告）日： | 2014-10-01 |
| 發明（設計）人： | 劉金升;鄭曄 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶洲裝備科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215500 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 面膜 去除 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片單面膜層的去除方法，其特征在于：包括以下步驟：
A、使用保護介質將待處理硅片不需要去除膜層的正面覆蓋，確保硅片正面不受腐蝕；
B、將步驟A的硅片置于具有腐蝕性蒸汽的環境中，利用蒸汽將硅片背面的待去除膜層腐蝕去除；
C、采用去離子水對步驟B中腐蝕后的硅片進行清洗。
2.根據權利要求1所述的一種硅片單面膜層的去除方法，其特征在于：步驟A中的保護介質為水、乙醇、細沙或橡膠。
3.根據權利要求1所述的一種硅片單面膜層的去除方法，其特征在于：步驟B中的待去除膜層為二氧化硅膜、磷硅玻璃、硼硅玻璃，氮化硅膜、二氧化鈦膜或三氧化二鋁膜。
4.根據權利要求1所述的一種硅片單面膜層的去除方法，其特征在于：步驟B中的腐蝕性蒸汽來源于易揮發的腐蝕性溶液，所述腐蝕液為酸液及其混合液或堿液及其混合液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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