[發明專利]薄膜表面平坦化的方法、陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310096225.7
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103258726A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 陳磊;夏子祺;代伍坤;李嘉鵬;金秀洪;王鳳國;張磊;仇淼
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種薄膜表面平坦化的方法、陣列基板及其制備方法和顯示裝置。?

背景技術

干法刻蝕是半導體制造領域常用的一種工藝手段，通常是利用射頻源使工作氣體發生等離子體放電現象，產生離子(Ion)和自由基(Radical)，該些離子和自由基在電場作用下對沉積在基板上未被光刻膠覆蓋的物質進行離子轟擊，從而轉移掩膜板規定的圖案到基板上。?

在液晶顯示器陣列基板加工過程中，干法刻蝕一般用于對非金屬層如半導體層進行圖案刻蝕，但干法刻蝕通常采用離子轟擊形式，對被刻蝕膜層下方的其它膜層(對底柵結構的TFT，該膜層為柵絕緣層)的表面平整度損傷大，導致該膜層表面變得粗糙，一方面嚴重影響金屬晶粒的生長，不利于源漏金屬層的沉積，另一方面也會影響液晶顯示器的透過率及對比度。?

發明內容

本發明提供一種薄膜表面平坦化的方法、陣列基板及其制備方法和顯示裝置，解決了現有干法刻蝕對被刻蝕膜層下方的其它膜層表面平整度損傷大的技術問題，從而提高液晶顯示器的透過率及對比度。?

為解決上述技術問題，本發明的實施例采用如下技術方案：?

一種干法刻蝕后薄膜表面平坦化的處理方法，在采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕之后，對干法刻蝕后露出的第一膜層進行表面平坦化處理，使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

具體地，在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成?揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

可選地，所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

所述混合氣體還包括氦氣，所述混合氣體中氦氣所占的體積比為20％～40％，氧氣所占的體積比為30％～40％，六氟化硫所占的體積比為30％～40％。?

本實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕，在所述采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕之后，還包括：對干法刻蝕后露出的第一膜層進行表面平坦化處理，使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

可選地，所述對第一膜層進行表面平坦化處理，具體包括：?

在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

可選地，所述非金屬層為半導體層。?

可選地，所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

可選地，所述混合氣體還包括氦氣。?

優選地，所述混合氣體中氦氣所占的體積比為20％～40％，氧氣所占的體積比為30％～40％，六氟化硫所占的體積比為30％～40％。?

優選地，所述混合氣體中氦氣所占的體積比為30％～35％，氧氣所占的體積比為35％～40％，六氟化硫所占的體積比為25％～30％。?

優選地，所述化學反應氣體與所述第一膜層的反應時間為5～45s。?

更為優選地，所述反應氣體與所述第一膜層的反應時間為5～15s。?

本發明還提供一種陣列基板，包括采用干法刻蝕進行圖案刻蝕形成的非金屬層，所述陣列基板在制造過程中在經歷干法刻蝕后，還經歷平坦化處理，所述平坦化處理使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第?一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

可選地，所述平坦化處理包括：在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

可選地，所述非金屬層為半導體層。?

可選地，所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

可選地，所述混合氣體還包括氦氣。?

本發明還提供一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。?

本發明提供一種薄膜表面平坦化的方法、陣列基板及其制備方法和顯示裝置，在傳統干法刻蝕后，增加表面平坦化處理步驟，使干法刻蝕后被損傷的比較粗糙的膜層表面恢復平坦，從而避免干法刻蝕對后續工序產生影響，可改善液晶顯示器的透過率及對比度。?

附圖說明