[發明專利]薄膜表面平坦化的方法、陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310096225.7
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN103258726A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 陳磊;夏子祺;代伍坤;李嘉鵬;金秀洪;王鳳國;張磊;仇淼
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜表面平坦化的方法，其特征在于，在采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕之后，對干法刻蝕后露出的第一膜層進行表面平坦化處理，使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，?

在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，?

所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，?

所述混合氣體還包括氦氣，所述混合氣體中氦氣所占的體積比為20％～40％，氧氣所占的體積比為30％～40％，六氟化硫所占的體積比為30％～40％。?

5.一種陣列基板的制備方法，包括采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕，其特征在于，在所述采用干法刻蝕對非金屬層進行圖案刻蝕之后，還包括：對干法刻蝕后露出的第一膜層進行表面平坦化處理，使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述對第一膜層進行表面平坦化處理，具體包括：?

在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，?

所述非金屬層為半導體層。?

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，?

所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，?

所述混合氣體還包括氦氣。?

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，?

所述混合氣體中氦氣所占的體積比為20％～40％，氧氣所占的體積比為30％～40％，六氟化硫所占的體積比為20％～40％。?

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，?

所述混合氣體中氦氣所占的體積比為30％～35％，氧氣所占的體積比為35％～40％，六氟化硫所占的體積比為25％～30％。?

12.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述化學反應氣體與所述第一膜層的反應時間為5～45s。?

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述反應氣體與所述第一膜層的反應時間為5～15s。?

14.一種陣列基板，包括采用干法刻蝕進行圖案刻蝕形成的非金屬層，其特征在于，所述陣列基板在制造過程中在經歷干法刻蝕后，還經歷平坦化處理，所述平坦化處理使因干法刻蝕導致表面粗糙的所述第一膜層恢復平坦，所述第一膜層位于所述非金屬層的下方。?

15.根據權利要求14所述的陣列基板，其特征在于，?

所述平坦化處理包括：在所述干法刻蝕所使用的設備中，通入化學反應氣體，使所述化學反應氣體與干法刻蝕后露出的第一膜層進行化學反應生成揮發性物質，從而使所述第一膜層表面平坦化。?

16.根據權利要求14或15所述的陣列基板，其特征在于，?

所述非金屬層為半導體層。?

17.根據權利要求15所述的陣列基板，其特征在于，?

所述第一膜層為氮化硅膜層，所述化學反應氣體為包括氧氣和六氟化硫的混合氣體。?

18.根據權利要求17所述的陣列基板，其特征在于，?

所述混合氣體還包括氦氣。?

19.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求14所述的陣列基板。?