[發明專利]晶片收納方法在審
| 申請號: | 201310096181.8 | 申請日: | 2013-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN103367212A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 中村勝 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 收納 方法 | ||
技術領域
本發明涉及將通過激光的照射而在內部形成有改性層的晶片收納到盒(cassette)中的方法。
背景技術
通過分割預定線劃分開地形成有多個IC(集成電路)、LSI(大規模集成電路)、LED(發光二極管)等器件的晶片,被沿著分割預定線進行切斷而分割為一個個器件,并利用到各種電子設備等中。
作為將晶片分割為一個個器件的方法提出了以下技術以供實用:將相對于晶片具有透射性的波長的激光光線的聚光點對準分割預定線的內部地進行照射,由此形成改性層,然后,通過對改性層施加外力來分割為一個個器件(例如,參照專利文獻1)。照射激光光線時由于形成于晶片表面側的器件礙事,所以從晶片的背面側照射激光。
現有技術文獻
專利文獻1:日本專利第3408805號公報
發明內容
但是,因為在分割預定線的內部形成有改性層的晶片為容易沿著分割預定線破裂的狀態,所以在將晶片收納到盒中時,和將收納有晶片的盒搬送到分割工序與磨削工序時,存在晶片會破裂這一問題,該分割工序是將晶片分割為器件的工序,該磨削工序是磨削晶片的背面的工序。
本發明是鑒于這樣的問題而做出的發明,其課題為,當將沿著分割預定線在內部形成有改性層的晶片收納到盒中進行搬送時,避免晶片破裂。
本發明涉及將在通過多條交叉的分割預定線劃分出的區域形成有器件的晶片收納到盒中的晶片收納方法,該晶片收納方法的特征在于,包括:改性層形成工序,將聚光點定位到分割預定線的內部地對晶片照射相對于晶片具有透射性的波長的激光光線,沿著分割預定線形成改性層;以及收納工序,將沿著分割預定線形成有改性層的晶片收納到盒中,該盒至少具有:開口部,其容許晶片的進出;一對側壁,其設置于開口部的兩側部;以及支撐擱板,其對置地形成于一對側壁的內側面且從開口部設置到背部,在收納工序中,以分割預定線的方向與支撐擱板交叉的方式收納晶片。
優選的是,在收納工序中,以形成于晶片的分割預定線的方向相對于支撐擱板以45度的角度交叉的方式收納晶片。
本發明中,在將沿著多條交叉的分割預定線形成有改性層的晶片收納到盒中的收納工序中,通過以分割預定線的方向相對于支撐擱板延伸方向交叉的方式收納晶片,避免了晶片的自重集中在分割預定線,所以能夠在盒的搬送中等防止晶片破裂。特別是,在以分割預定線的方向相對于支撐擱板以45度的角度交叉的方式將晶片收納到盒中時,晶片自重導致的彎矩相對于交叉的分割預定線為最小,能夠更可靠地防止晶片的破裂。
附圖說明
圖1是表示晶片和保護帶的分解立體圖。
圖2是表示保護帶粘貼在晶片表面的狀態的立體圖。
圖3是表示激光加工裝置的一個示例的立體圖。
圖4是表示在晶片內部形成改性層的狀態的剖視圖。
圖5是表示在晶片內部形成改性層的狀態的立體圖。
圖6是表示在晶片內部形成有改性層的晶片的立體圖。
圖7是表示將晶片收納到盒中的狀態的立體圖。
圖8是表示將晶片收納到盒中的狀態的俯視圖。
圖9是表示磨削晶片背面的狀態的立體圖。
圖10是表示將晶片背面粘貼到擴張帶并從晶片的表面剝離保護帶的狀態的立體圖。
圖11是表示分割晶片的狀態的剖視圖。
標號說明
1:激光加工裝置
2:保持構件
3:加工構件
30:激光照射頭??31:殼體??32:檢測構件
4:保持構件X方向進給部
40:滾珠絲杠??41:導軌??42:馬達??43:滑動部
5:保持構件Y方向進給部
50:滾珠絲杠??51:導軌??52:脈沖馬達??53:移動基臺
54:旋轉驅動部
6:加工構件Y方向進給部
60:滾珠絲杠??61:導軌??62:脈沖馬達??63:滑動部
7:加工構件Z方向進給部
70:滾珠絲杠??71:導軌??72:脈沖馬達??73:升降部
8:改性層
9:盒
90:開口部??91:側壁??92:支撐擱板??92a:槽??93:頂板??94:抓取部
95:保持部件
10:磨削裝置
100:卡盤工作臺??101:磨削構件??103:安裝座
104:磨削輪??104a:磨削磨具
11:晶片擴張裝置
110:保持工作臺
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





