[發(fā)明專利]耗盡型MOS晶體管及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095671.6
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103208427A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設計）人: 唐樹澍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述襯底內(nèi)具有阱區(qū)；

在部分所述阱區(qū)內(nèi)形成摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)和阱區(qū)的摻雜類型相反，且所述摻雜區(qū)的數(shù)量至少為一個；

在所述襯底上形成柵極；

在所述柵極兩側(cè)的部分阱區(qū)內(nèi)形成源極和漏極，位于所述源極和漏極之間的柵極中，一部分柵極覆蓋所述摻雜區(qū)，另一部分柵極覆蓋所述阱區(qū)，所述源極、漏極和摻雜區(qū)的摻雜類型相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述摻雜區(qū)的數(shù)量為兩個以上，且兩個以上的所述摻雜區(qū)沿柵極延伸方向間隔排列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述摻雜區(qū)還延伸至所述源極、漏極所在的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在部分所述阱區(qū)內(nèi)形成摻雜區(qū)的方法包括：

在所述襯底上形成圖形化掩模層，部分所述阱區(qū)被所述圖形化掩模層覆蓋住；

以所述圖形化掩模層為掩模進行離子注入，以在未被所述圖形化掩模層覆蓋住的阱區(qū)內(nèi)形成所述摻雜區(qū)；

去除所述圖形化掩模層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述圖形化掩模層為圖形化光刻膠層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述耗盡型MOS晶體管為NMOS晶體管，利用離子注入工藝形成所述阱區(qū)，形成所述阱區(qū)的工藝參數(shù)包括：摻雜離子為硼，注入離子劑量為1E12/cm²-1E13/cm²，注入離子能量為10keV-100keV。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，利用離子注入工藝形成所述摻雜區(qū)，形成所述摻雜區(qū)的工藝參數(shù)包括：摻雜離子為砷，注入離子劑量為1E12/cm²-1E13/cm²，注入離子能量為10keV-80keV。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耗盡型MOS晶體管的形成方法，其特征在于，利用離子注入工藝形成所述源極及漏極，形成所述源極及漏極的工藝參數(shù)包括：摻雜離子為砷，注入離子劑量為1E14/cm²-1E15/cm²，注入離子能量為10keV-70keV。

9.一種耗盡型MOS晶體管，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述襯底內(nèi)具有阱區(qū)；

位于部分所述阱區(qū)內(nèi)的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)和阱區(qū)的摻雜類型相反，且所述摻雜區(qū)的數(shù)量至少為一個；

位于所述襯底上的柵極；

位于所述柵極兩側(cè)的部分阱區(qū)內(nèi)的源極和漏極，位于所述源極和漏極之間的柵極中，一部分柵極覆蓋所述摻雜區(qū)，另一部分柵極覆蓋所述阱區(qū)，所述源極、漏極和摻雜區(qū)的摻雜類型相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的耗盡型MOS晶體管，其特征在于，所述摻雜區(qū)的數(shù)量為兩個以上，且兩個以上的所述摻雜區(qū)沿柵極延伸方向間隔排列。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的耗盡型MOS晶體管，其特征在于，所述摻雜區(qū)還延伸至所述源極、漏極所在的區(qū)域。